WINSOK MOSFET は電子速度レギュレータに使用されています

MOSFETの基本的な動作原理:

MOSFETは、電圧制御によって電流の流れをオンまたはオフにする半導体デバイスです。電子速度レギュレータでは、MOSFET がスイッチング素子として使用され、モータへの電流の流れを調整し、モータ速度の正確な制御を可能にします。

 

電子速度レギュレータにおける MOSFET のアプリケーション:

MOSFET は、その優れたスイッチング速度と効率的な電流制御機能を利用して、PWM (パルス幅変調) 回路の電子速度レギュレータに広く使用されています。このアプリケーションにより、さまざまな負荷条件下でモーターが安定して効率的に動作できるようになります。

 

適切な MOSFET を選択してください。

電子速度レギュレータを設計する場合、適切な MOSFET を選択することが重要です。考慮すべきパラメータには、最大ドレイン-ソース電圧 (V_DS)、最大連続漏れ電流 (I_D)、スイッチング速度、および熱性能が含まれます。

電子速度レギュレータにおける WINSOK MOSFET のアプリケーション部品番号は次のとおりです。

部品番号	構成	タイプ	VDS	ID(A)	VGS(th)(v)			RDS(ON)(mΩ)		シス	パッケージ
								@10V
			(V)	最大。	分。	典型的。	最大。	典型的。	最大。	(pF)
WSD3050DN	シングル	N-Ch	30	50	1.5	1.8	2.5	6.7	8.5	1200	DFN3X3-8
WSD30L40DN	シングル	P-Ch	-30	-40	-1.3	-1.8	-2.3	11	14	1380	DFN3X3-8
WSD30100DN56	シングル	N-Ch	30	100	1.5	1.8	2.5	3.3	4	1350	DFN5X6-8
WSD30160DN56	シングル	N-Ch	30	120	1.2	1.7	2.5	1.9	2.5	4900	DFN5X6-8
WSD30150DN56	シングル	N-Ch	30	150	1.4	1.7	2.5	1.8	2.4	3200	DFN5X6-8

 

対応する材質番号は以下のとおりです。

WINSOK WSD3050DN 対応材質番号:AOS AON7318、AON7418、AON7428、AON7440、AON7520、AON7528、AON7544、AON7542.Onsemi、FAIRCHILD NTTFS4939N、NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian。東芝 TPN4R303NL.パンジット PJQ4408P。ニコセム PE5G6EA。

WINSOK WSD30L40DN対応品目番号：AOS AON7405、AONR21357、AONR7403、AONR21305C。 STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA、PE507BA。

WINSOK WSD30100DN56 対応材質番号: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH5,STL58N3LLH 5.インフィニオン/IR BSC014N03LSG、BSC016N03LSG、BSC014N03MSG、BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X。

WINSOK WSD30160DN56 対応材料番号: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA TPH2R903PL.PANJIT PJQ5426.NIKO-SEM PKE10BB.Potens Semiconductor PDC3902X。

WINSOK WSD30150DN56 対応材質番号:AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428。 NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X。

 

電子速度レギュレーターのパフォーマンスを最適化します。

MOSFETの動作条件と回路設計を最適化することで、電子速度調整器の性能をさらに向上させることができます。これには、適切な冷却の確保、適切なドライバー回路の選択、回路内の他のコンポーネントも性能要件を満たせるようにすることが含まれます。