WSD100N06GDN56 N チャンネル 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD100N06GDN56 MOSFETの電圧は60V、電流は100A、抵抗は3mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
医療用電源MOSFET、PD MOSFET、ドローンMOSFET、電子タバコMOSFET、主要家電MOSFET、電動工具MOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
AOS MOSFET AON6264C、AON6264E、AON6266E、AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7、STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS 半導体 MOSFET PDC692X。
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 | ||
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 60 | V | ||
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V | ||
| ID1,6 | 連続ドレイン電流 | TC=25℃ | 100 | A | |
| TC=100℃ | 65 | ||||
| IDM2 | パルスドレイン電流 | TC=25℃ | 240 | A | |
| PD | 最大消費電力 | TC=25℃ | 83 | W | |
| TC=100℃ | 50 | ||||
| IAS | アバランシェ電流、シングルパルス | 45 | A | ||
| EAS3 | シングルパルスアバランシェエネルギー | 101 | mJ | ||
| TJ | 最大接合部温度 | 150 | ℃ | ||
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ | ||
| RθJA1 | 接合部から周囲までの熱抵抗 | 定常状態 | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | 熱抵抗 - 接合部からケースまで | 定常状態 | 1.5 | ℃/W | |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット | |
| 静的 | |||||||
| V(BR)DSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS = 0V、ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | VDS = 48V、VGS = 0V | 1 | μA | |||
| TJ=85℃ | 30 | ||||||
| IGSS | ゲートリーク電流 | VGS = ±20V、VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| 特性について | |||||||
| VGS(TH) | ゲートしきい値電圧 | VGS = VDS、IDS = 250μA | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V | |
| RDS(オン)2 | ドレイン・ソース間のオン状態抵抗 | VGS = 10V、ID = 20A | 3.0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4.5V、ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| スイッチング | |||||||
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Qgs | ゲートサワーチャージ | 16 | nC | ||||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | 4.0 | nC | ||||
| td(オン) | ターンオン遅延時間 | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | ターンオン立ち上がり時間 | 8 | ns | ||||
| td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | 50 | ns | ||||
| tf | ターンオフ立ち下がり時間 | 11 | ns | ||||
| Rg | ゲート抵抗 | VGS=0V、VDS=0V、f=1MHz | 0.7 | Ω | |||
| 動的 | |||||||
| シス | 静電容量内 | VGS=0V VDS=30V f=1MHz | 3458 | pF | |||
| コス | 出力容量 | 1522 | pF | ||||
| クロス | 逆伝達容量 | 22 | pF | ||||
| ドレイン・ソース間ダイオードの特性と最大定格 | |||||||
| IS1,5 | 連続ソース電流 | VG=VD=0V 、強制電流 | 55 | A | |||
| ISM | パルスソース電流3 | 240 | A | ||||
| VSD2 | ダイオード順電圧 | ISD=1A、VGS=0V | 0.8 | 1.3 | V | ||
| てら | 逆回復時間 | ISD=20A、dlSD/dt=100A/μs | 27 | ns | |||
| Qrr | 逆回復チャージ | 33 | nC | ||||
