WSD100N15DN56G N チャネル 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD100N15DN56G MOSFETの電圧は150V、電流は100A、抵抗は6mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
医療用電源MOSFET、PD MOSFET、ドローンMOSFET、電子タバコMOSFET、主要家電MOSFET、電動工具MOSFET。
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 150 | V |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID | 連続ドレイン電流、VGS@10V(TC=25℃） | 100 | A |
| IDM | パルスドレイン電流 | 360 | A |
| EAS | シングルパルスアバランシェエネルギー | 400 | mJ |
| PD | 総電力損失...C=25℃） | 160 | W |
| RθJA | 熱抵抗、接合部周囲温度 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 熱抵抗、ジャンクションケース | 0.78 | ℃/W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55 ～ 175 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55 ～ 175 | ℃ |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 150 | --- | --- | V |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、私D=20A | --- | 9 | 12 | mΩ |
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=100V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=50V、VGS=10V、私D=20A | --- | 66 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 26 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 18 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=50V、VGS=10V RG=2Ω、 ID=20A | --- | 37 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 98 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 55 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 20 | --- | ||
| Cです | 入力容量 | VDS=30V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 5450 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 1730 | --- | ||
| CRSS | 逆伝達容量 | --- | 195 | --- |
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