WSD20100DN56 N チャネル 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD20100DN56 N チャネル 20V 90A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

部品番号:WSD20100DN56

BVDSS:20V

ID:90A

RDソン:1.6mΩ 

チャネル:Nチャンネル

パッケージ:DFN5X6-8


製品詳細

応用

製品タグ

WINSOK MOSFET 製品概要

WSD20100DN56 MOSFETの電圧は20V、電流は90A、抵抗は1.6mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。

WINSOK MOSFET の応用分野

電子タバコMOSFET、ドローンMOSFET、電動工具MOSFET、フェイシアガンMOSFET、PD MOSFET、小型家電MOSFET。

WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します

AOS MOSFET AON6572。

ポテンス半導体 MOSFET PDC394X。

MOSFETパラメータ

シンボル

パラメータ

評価

単位

VDS

ドレイン・ソース間電圧

20

V

VGS

ゲート・ソース間電圧

±12

V

ID@TC=25℃

連続ドレイン電流1

90

A

ID@TC=100℃

連続ドレイン電流1

48

A

IDM

パルスドレイン電流2

270

A

EAS

シングルパルスアバランシェエネルギー3

80

mJ

IAS

なだれ電流

40

A

PD@TC=25℃

総消費電力4

83

W

TSTG

保存温度範囲

-55~150

TJ

動作ジャンクション温度範囲

-55~150

RθJA

熱抵抗 接合部周囲温度1(t10秒)

20

/W

RθJA

熱抵抗 接合部周囲温度1(定常状態)

55

/W

RθJC

熱抵抗 ジャンクションケース1

1.5

/W

 

シンボル

パラメータ

条件

タイプ

マックス

ユニット

BVDSS

ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250uA

20

23

---

V

VGS(th)

ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=250uA

0.5

0.68

1.0

V

RDS(オン)

静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、ID=20A

---

1.6

2.0

RDS(オン)

静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=4.5V、ID=20A  

1.9

2.5

RDS(オン)

静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=2.5V、ID=20A

---

2.8

3.8

IDSS

ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=16V、VGS=0V、TJ=25

---

---

1

uA

VDS=16V、VGS=0V、TJ=125

---

---

5

IGSS

ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±10V、VDS=0V

---

---

±10

uA

Rg

ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz

---

1.2

---

Ω

Qg

総ゲート電荷 (10V) VDS=15V、VGS=10V、ID=20A

---

77

---

nC

Qgs

ゲート・ソース間の電荷

---

8.7

---

Qgd

ゲート・ドレイン間の充電

---

14

---

Td(オン)

ターンオン遅延時間 VDD=15V、VGS=10V、RG=3、

ID=20A

---

10.2

---

ns

Tr

立ち上がり時間

---

11.7

---

Td(オフ)

ターンオフ遅延時間

---

56.4

---

Tf

フォールタイム

---

16.2

---

シス

入力容量 VDS=10V、VGS=0V、f=1MHz

---

4307

---

pF

コス

出力容量

---

501

---

クロス

逆伝達容量

---

321

---

IS

連続ソース電流1,5 VG=VD=0V、強制電流

---

---

50

A

VSD

ダイオード順電圧2 VGS=0V、IS=1A、TJ=25

---

---

1.2

V

てら

逆回復時間 IF=20A 、 di/dt=100A/μs 、

TJ=25

---

22

---

nS

Qrr

逆回復チャージ

---

72

---

nC


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