WSD2090DN56 N チャンネル 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
概要
WSD2090DN56 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSD2090DN56 は、RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認され、100% EAS 保証されています。
特徴
高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV / dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能
アプリケーション
スイッチ、パワーシステム、ロードスイッチ、電子タバコ、ドローン、電動工具、筋膜ガン、PD、小型家電製品など
対応材質番号
AOS AON6572
重要なパラメータ
絶対最大定格 (特に指定のない限り TC=25℃)
| シンボル | パラメータ | 最大。 | 単位 |
| VDSS | ドレイン・ソース間電圧 | 20 | V |
| VGSS | ゲート・ソース間電圧 | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 80 | A |
| ID@TC=100℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 59 | A |
| IDM | パルスドレイン電流 注1 | 360 | A |
| EAS | シングルパルスアバランシェエネルギー注2 | 110 | mJ |
| PD | 消費電力 | 81 | W |
| RθJA | 熱抵抗、接合部からケースまで | 65 | ℃/W |
| RθJC | 熱抵抗ジャンクション - ケース 1 | 4 | ℃/W |
| TJ、TSTG | 動作温度範囲および保管温度範囲 | -55 ～ +175 | ℃ |
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25 ℃)
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分 | タイプ | マックス | 単位 |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250μA | 20 | 24 | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=1mA | --- | 0.018 | --- | V/℃ |
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VDS=VGS、ID=250μA | 0.50 | 0.65 | 1.0 | V |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 | VGS=4.5V、ID=30A | --- | 2.8 | 4.0 | mΩ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 | VGS=2.5V、ID=20A | --- | 4.0 | 6.0 | |
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | VDS=20V、VGS=0V | --- | --- | 1 | μA |
| IGSS | ゲート・ボディ間の漏れ電流 | VGS=±10V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| シス | 入力容量 | VDS=10V、VGS=0V、f=1MHZ | --- | 3200 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 460 | --- | ||
| クロス | 逆伝達容量 | --- | 446 | --- | ||
| Qg | 総ゲート電荷量 | VGS=4.5V、VDS=10V、ID=30A | --- | 11.05 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 1.73 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 3.1 | --- | ||
| tD(オン) | ターンオン遅延時間 | VGS=4.5V、VDS=10V、ID=30ARGEN=1.8Ω | --- | 9.7 | --- | ns |
| tr | ターンオン立ち上がり時間 | --- | 37 | --- | ||
| tD(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 63 | --- | ||
| tf | ターンオフ立ち下がり時間 | --- | 52 | --- | ||
| VSD | ダイオード順電圧 | IS=7.6A、VGS=0V | --- | --- | 1.2 | V |
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