WSD20L120DN56 P チャネル -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
概要
WSD20L120DN56 は、高密度セル構造を備えた最高性能の P-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータの用途に優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSD20L120DN56 は、RoHS および環境に優しい製品の EAS 要件を 100% 満たしており、全機能の信頼性が承認されています。
特徴
1、高度な高セル密度トレンチ技術
2、超低ゲートチャージ
3、優れたCDV/dt効果低下
4、100% EAS 保証 5、グリーン デバイスが利用可能
アプリケーション
MB/NB/UMPC/VGA 用高周波ポイントオブロード同期降圧コンバータ、ネットワーキング DC-DC 電源システム、負荷スイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、ドローン、医療、車載充電器、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家庭用電化製品。
対応材質番号
AOS AON6411、NIKO PK5A7BA
重要なパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 | |
10代 | 定常状態 | |||
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | -20 | V | |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±10 | V | |
ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 | -120 | A | |
ID@TC=100℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 | -69.5 | A | |
ID@TA=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 | -25 | -22 | A |
ID@TA=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 | -24 | -18 | A |
IDM | パルスドレイン電流2 | -340 | A | |
EAS | シングルパルスアバランシェエネルギー3 | 300 | mJ | |
IAS | なだれ電流 | -36 | A | |
PD@TC=25℃ | 総消費電力4 | 130 | W | |
PD@TA=25℃ | 総消費電力4 | 6.8 | 6.25 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55~150 | ℃ | |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55~150 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=-1mA | --- | -0.0212 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=-4.5V、ID=-20A | --- | 2.1 | 2.7 | mΩ |
VGS=-2.5V、ID=-20A | --- | 2.8 | 3.7 | |||
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=-250uA | -0.4 | -0.6 | -1.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th) 温度係数 | --- | 4.8 | --- | mV/℃ | |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=55℃ | --- | --- | -6 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=-5V、ID=-20A | --- | 100 | --- | S |
Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 2 | 5 | Ω |
Qg | 総ゲート電荷 (-4.5V) | VDS=-10V、VGS=-4.5V、ID=-20A | --- | 100 | --- | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 21 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 32 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=-10V、VGEN=-4.5V、 RG=3Ω ID=-1A、RL=0.5Ω | --- | 20 | --- | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 50 | --- | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 100 | --- | ||
Tf | フォールタイム | --- | 40 | --- | ||
シス | 入力容量 | VDS=-10V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 4950 | --- | pF |
コス | 出力容量 | --- | 380 | --- | ||
クロス | 逆伝達容量 | --- | 290 | --- |
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