WSD20L120DN56 P チャネル -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD20L120DN56 P チャネル -20V -120A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WSD20L120DN56
  • BVDSS:-20V
  • RDソン:2.1mΩ
  • ID:-120A
  • チャネル:Pチャンネル
  • パッケージ:DFN5*6-8
  • 製品概要:MOSFET WSD20L120DN56 は -20 ボルトで動作し、-120 アンペアの電流を消費します。抵抗は 2.1 ミリオーム、P チャネルで、DFN5*6-8 パッケージで提供されます。
  • アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、ドローン、医療機器、カーチャージャー、コントローラー、デジタル機器、小型家電、家庭用電化製品。
  • 製品詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WSD20L120DN56 は、高密度セル構造を備えた最高性能の P-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータの用途に優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSD20L120DN56 は、RoHS および環境に優しい製品の EAS 要件を 100% 満たしており、全機能の信頼性が承認されています。

    特徴

    1、高度な高セル密度トレンチ技術
    2、超低ゲートチャージ
    3、優れたCDV/dt効果低下
    4、100% EAS 保証 5、グリーン デバイスが利用可能

    アプリケーション

    MB/NB/UMPC/VGA 用高周波ポイントオブロード同期降圧コンバータ、ネットワーキング DC-DC 電源システム、負荷スイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、ドローン、医療、車載充電器、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家庭用電化製品。

    対応材質番号

    AOS AON6411、NIKO PK5A7BA

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    10代 定常状態
    VDS ドレイン・ソース間電圧 -20 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±10 V
    ID@TC=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 -120 A
    ID@TC=100℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 -69.5 A
    ID@TA=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 -25 -22 A
    ID@TA=70℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 -24 -18 A
    IDM パルスドレイン電流2 -340 A
    EAS シングルパルスアバランシェエネルギー3 300 mJ
    IAS なだれ電流 -36 A
    PD@TC=25℃ 総消費電力4 130 W
    PD@TA=25℃ 総消費電力4 6.8 6.25 W
    TSTG 保存温度範囲 -55~150
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 -55~150
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=-1mA --- -0.0212 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=-4.5V、ID=-20A --- 2.1 2.7
           
        VGS=-2.5V、ID=-20A --- 2.8 3.7  
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=-250uA -0.4 -0.6 -1.0 V
               
    △VGS(th) VGS(th) 温度係数   --- 4.8 --- mV/℃
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=55℃ --- --- -6  
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    ガールフレンド 順方向相互コンダクタンス VDS=-5V、ID=-20A --- 100 --- S
    Rg ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 2 5 Ω
    Qg 総ゲート電荷 (-4.5V) VDS=-10V、VGS=-4.5V、ID=-20A --- 100 --- nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 21 ---
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 32 ---
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=-10V、VGEN=-4.5V、

    RG=3Ω ID=-1A、RL=0.5Ω

    --- 20 --- ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 50 ---
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 100 ---
    Tf フォールタイム --- 40 ---
    シス 入力容量 VDS=-10V、VGS=0V、f=1MHz --- 4950 --- pF
    コス 出力容量 --- 380 ---
    クロス 逆伝達容量 --- 290 ---

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