WSD30140DN56 N チャンネル 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD30140DN56 N チャンネル 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDソン:1.7mΩ
  • ID:85A
  • チャネル:Nチャンネル
  • パッケージ:DFN5*6-8
  • 製品概要:WSD30140DN56 MOSFETの電圧は30V、電流は85A、抵抗は1.7mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5*6-8です。
  • アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、ドローン、医療、カーチャージャー、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家電など
  • 製品詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WSD30140DN56 は、非常に高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N チャネル MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSD30140DN56 は RoHS およびグリーン製品要件に準拠し、100% EAS 保証、全機能の信頼性が承認されています。

    特徴

    高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果減衰、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能

    アプリケーション

    高周波ポイントオブロード同期、降圧コンバータ、ネットワーク化されたDC-DC電源システム、電動工具アプリケーション、電子タバコ、ワイヤレス充電、ドローン、医療、自動車充電、コントローラ、デジタル製品、小型家電、家庭用電化製品

    対応材質番号

    AO AON6312、AON6358、AON6360、AON6734、AON6792、AONS36314。 NTMFS4847N で。ビシェイ SiRA62DP。 ST STL86N3LLH6AG。インフィニオン BSC050N03MSG。 TI CSD17327Q5A、CSD17327Q5A、CSD17307Q5A。 NXP PH2520U。東芝 TPH4R803PL TPH3R203NL。ローム RS1E281BN、RS1E280BN、RS1E280GN、RS1E301GN、RS1E321GN、RS1E350BN、RS1E350GN。パンジット PJQ5410。 AP AP3D5R0MT。ニコ PK610SA、PK510BA。ポテンス PDC3803R

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    VDS ドレイン・ソース間電圧 30 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±20 V
    ID@TC=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM パルスドレイン電流2 300 A
    PD@TC=25℃ 総消費電力4 50 W
    TSTG 保存温度範囲 -55~150
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 -55~150
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=1mA --- 0.02 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、ID=20A --- 1.7 2.4
    VGS=4.5V、ID=15A 2.5 3.3
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=250uA 1.2 1.7 2.5 V
    ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=24V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS=24V、VGS=0V、TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    ガールフレンド 順方向相互コンダクタンス VDS=5V、ID=20A --- 90 --- S
    Qg 総ゲート電荷 (4.5V) VDS=15V、VGS=4.5V、ID=20A --- 26 --- nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 9.5 ---
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 11.4 ---
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=15V、VGEN=10V、RG=3Ω、RL=0.75Ω。 --- 11 --- ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 6 ---
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 38.5 ---
    Tf フォールタイム --- 10 ---
    シス 入力容量 VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz --- 3000 --- pF
    コス 出力容量 --- 1280 ---
    クロス 逆伝達容量 --- 160 ---

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