WSD30150DN56 N チャネル 30V 150A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD30150DN56 MOSFETの電圧は30V、電流は150A、抵抗は1.8mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
E-タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、ドローンMOSFET、医療MOSFET、自動車充電器MOSFET、コントローラMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
AOS MOSFET AON6512、AONS3234。
オンセミ、FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM。
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL。
東芝 MOSFET TPH1R43NL。
パンジットMOSFET PJQ5428。
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB、PKE24BB。
ポテンス半導体 MOSFET PDC392X。
MOSFETパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 30 | V |
VGS | ゲート荘rCE電圧 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS@10V1,7 | 150 | A |
ID@TC=100℃ | 連続ドレイン電流、VGS@10V1,7 | 83 | A |
IDM | パルスドレイン電流2 | 200 | A |
EAS | シングルパルスアバランシェエネルギー3 | 125 | mJ |
IAS | なだれ電流 | 50 | A |
PD@TC=25℃ | 総消費電力4 | 62.5 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55~150 | ℃ |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55~150 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 30 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS温度係数 | 25を参照℃、 私D=1mA | --- | 0.02 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、私D=20A | --- | 1.8 | 2.4 | mΩ |
VGS=4.5V、ID=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250μA | 1.4 | 1.7 | 2.5 | V |
△VGS(th) | VGS(th)温度係数 | --- | -6.1 | --- | mV/℃ | |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=24V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=24V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、私D=10A | --- | 27 | --- | S |
Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 0.8 | 1.5 | Ω |
Qg | 総ゲート電荷 (4.5V) | VDS=15V、VGS=4.5V、ID=30A | --- | 26 | --- | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 9.5 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 11.4 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=15V、Vゲン=10V、RG=6Ω、 私D=1A、RL=15Ω。 | --- | 20 | --- | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 12 | --- | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 69 | --- | ||
Tf | フォールタイム | --- | 29 | --- | ||
Cです | 入力容量 | VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
コス | 出力容量 | 560 | 680 | 800 | ||
CRSS | 逆伝達容量 | 260 | 320 | 420 |