WSD30160DN56 N チャネル 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD30160DN56 N チャネル 30V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

部品番号:WSD30160DN56

BVDSS:30V

ID:120A

RDソン:1.9mΩ 

チャネル:Nチャンネル

パッケージ:DFN5X6-8


製品詳細

応用

製品タグ

WINSOK MOSFET 製品概要

WSD30160DN56 MOSFETの電圧は30V、電流は120A、抵抗は1.9mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。

WINSOK MOSFET の応用分野

電子タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、ドローンMOSFET、医療MOSFET、自動車充電器MOSFET、コントローラーMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。

WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します

AOS MOSFET AON6382、AON6384、AON644A、AON6548。

オンセミ、FAIRCHILD MOSFET NTMFS4834N、NTMFS4C5N。

東芝 MOSFET TPH2R93PL。

パンジット MOSFET PJQ5426。

NIKO-SEM MOSFET PKE1BB。

ポテンス半導体 MOSFET PDC392X。

MOSFETパラメータ

シンボル

パラメータ

評価

単位

VDS

ドレイン・ソース間電圧

30

V

VGS

ゲート荘rCE電圧

±20

V

ID@TC=25

連続ドレイン電流、VGS@10V1,7

120

A

ID@TC=100

連続ドレイン電流、VGS@10V1,7

68

A

IDM

パルスドレイン電流2

300

A

EAS

シングルパルスアバランシェエネルギー3

128

mJ

IAS

なだれ電流

50

A

PD@TC=25

総消費電力4

62.5

W

TSTG

保存温度範囲

-55~150

TJ

動作ジャンクション温度範囲

-55~150

 

シンボル

パラメータ

条件

分。

典型的。

最大。

ユニット

BVDSS

ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、私D=250μA

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSS温度係数 25を参照、 私D=1mA

---

0.02

---

V/

RDS(オン)

静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、私D=20A

---

1.9

2.5 mΩ
VGS=4.5V、ID=15A

---

2.9

3.5

VGS(th)

ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、 私D=250μA

1.2

1.7

2.5

V

VGS(th)

VGS(th)温度係数

---

-6.1

---

mV/

IDSS

ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=24V、VGS=0V、TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24V、VGS=0V、TJ=55

---

---

5

IGSS

ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V

---

---

±100

nA

ガールフレンド

順方向相互コンダクタンス VDS=5V、私D=10A

---

32

---

S

Rg

ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz

---

0.8

1.5

Ω

Qg

総ゲート電荷 (4.5V) VDS=15V、VGS=4.5V、ID=20A

---

38

---

nC

Qgs

ゲート・ソース間の電荷

---

10

---

Qgd

ゲート・ドレイン間の充電

---

13

---

Td(オン)

ターンオン遅延時間 VDD=15V、Vゲン=10V、RG=6Ω、 私D=1A、RL=15Ω。

---

25

---

ns

Tr

立ち上がり時間

---

23

---

Td(オフ)

ターンオフ遅延時間

---

95

---

Tf

フォールタイム

---

40

---

Cです

入力容量 VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz

---

4900

---

pF

コス

出力容量

---

1180

---

CRSS

逆伝達容量

---

530

---


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