WSD3023DN56 N チャネルおよび P チャネル 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD3023DN56 N チャネルおよび P チャネル 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WSD3023DN56
  • BVDSS:30V/-30V
  • RDソン:14mΩ/23mΩ
  • ID:14A/-12A
  • チャネル:NチャンネルとPチャンネル
  • パッケージ:DFN5*6-8
  • 製品概要:WSD3023DN56 MOSFETの電圧は30V/-30V、電流は14A/-12A、抵抗は14mΩ/23mΩ、チャンネルはN-ChとP-Channel、パッケージはDFN5*6-8です。
  • アプリケーション:ドローン、モーター、自動車エレクトロニクス、主要家電。
  • 製品の詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WSD3023DN56 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N チャネルおよび P チャネル MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。WSD3023DN56 は、RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認され、100% EAS 保証されています。

    特徴

    高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能。

    アプリケーション

    MB/NB/UMPC/VGA 用高周波ポイントオブロード同期降圧コンバータ、ネットワーキング DC-DC 電源システム、CCFL バックライト インバータ、ドローン、モーター、自動車エレクトロニクス、主要家電。

    対応材質番号

    パンジット PJQ5606

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    N-Ch P-Ch
    VDS ドレイン・ソース間電圧 30 -30 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±20 ±20 V
    ID 連続ドレイン電流、VGS(NP)=10V、Ta=25℃ 14* -12 A
    連続ドレイン電流、VGS(NP)=10V、Ta=70℃ 7.6 -9.7 A
    国内避難民 パルスドレイン電流テスト済み、VGS(NP)=10V 48 -48 A
    EAS c アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH 20 20 mJ
    IAS c アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH 9 -9 A
    PD 全許容損失、Ta=25℃ 5.25 5.25 W
    TSTG 保存温度範囲 -55 ~ 175 -55 ~ 175
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 175 175
    RqJA b 熱抵抗 - 接合部から周囲、定常状態まで 60 60 ℃/W
    RqJC 熱抵抗 - 接合部からケースまで、定常状態 6.25 6.25 ℃/W
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250uA 30 --- --- V
    RDS(オン)d 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 VGS=10V、ID=8A --- 14 18.5
    VGS=4.5V、ID=5A --- 17 25
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=250uA 1.3 1.8 2.3 V
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=20V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=20V、VGS=0V、TJ=85℃ --- --- 30
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 1.7 3.4 Ω
    クゲ 総ゲート電荷量 VDS=15V、VGS=4.5V、IDS=8A --- 5.2 --- nC
    クグセ ゲート・ソース間の電荷 --- 1.0 ---
    クグデ ゲート・ドレイン間の充電 --- 2.8 ---
    Td(on)e ターンオン遅延時間 VDD=15V、RL=15R、IDS=1A、VGEN=10V、RG=6R。 --- 6 --- ns
    トレ 立ち上がり時間 --- 8.6 ---
    Td(オフ)e ターンオフ遅延時間 --- 16 ---
    テフェ フォールタイム --- 3.6 ---
    シセ 入力容量 VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz --- 545 --- pF
    コッセ 出力容量 --- 95 ---
    クルセ 逆伝達容量 --- 55 ---

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