WSD3023DN56 N チャネルおよび P チャネル 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET
概要
WSD3023DN56 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N チャネルおよび P チャネル MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSD3023DN56 は、RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認され、100% EAS 保証されています。
特徴
高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能。
アプリケーション
MB/NB/UMPC/VGA 用高周波ポイントオブロード同期降圧コンバータ、ネットワーキング DC-DC 電源システム、CCFL バックライト インバータ、ドローン、モーター、自動車エレクトロニクス、主要家電。
対応材質番号
パンジット PJQ5606
重要なパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 | |
N-Ch | P-Ch | |||
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 30 | -30 | V |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | ±20 | V |
ID | 連続ドレイン電流、VGS(NP)=10V、Ta=25℃ | 14* | -12 | A |
連続ドレイン電流、VGS(NP)=10V、Ta=70℃ | 7.6 | -9.7 | A | |
国内避難民 | パルスドレイン電流テスト済み、VGS(NP)=10V | 48 | -48 | A |
EAS c | アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH | 20 | 20 | mJ |
IAS c | アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH | 9 | -9 | A |
PD | 全許容損失、Ta=25℃ | 5.25 | 5.25 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55 ~ 175 | -55 ~ 175 | ℃ |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | 175 | 175 | ℃ |
RqJAb | 熱抵抗 - 接合部から周囲、定常状態まで | 60 | 60 | ℃/W |
RqJC | 熱抵抗 - 接合部からケースまで、定常状態 | 6.25 | 6.25 | ℃/W |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
RDS(オン)d | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 | VGS=10V、ID=8A | --- | 14 | 18.5 | mΩ |
VGS=4.5V、ID=5A | --- | 17 | 25 | |||
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=250uA | 1.3 | 1.8 | 2.3 | V |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=20V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=20V、VGS=0V、TJ=85℃ | --- | --- | 30 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1.7 | 3.4 | Ω |
クゲ | 総ゲート電荷量 | VDS=15V、VGS=4.5V、IDS=8A | --- | 5.2 | --- | nC |
クグセ | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 1.0 | --- | ||
クグデ | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 2.8 | --- | ||
Td(on)e | ターンオン遅延時間 | VDD=15V、RL=15R、IDS=1A、VGEN=10V、RG=6R。 | --- | 6 | --- | ns |
トレ | 立ち上がり時間 | --- | 8.6 | --- | ||
Td(オフ)e | ターンオフ遅延時間 | --- | 16 | --- | ||
テフェ | フォールタイム | --- | 3.6 | --- | ||
シセ | 入力容量 | VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 545 | --- | pF |
コッセ | 出力容量 | --- | 95 | --- | ||
クルセ | 逆伝達容量 | --- | 55 | --- |
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