WSD4018DN22 P チャネル -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD4018DN22 MOSFETの電圧は-40V、電流は-18A、抵抗は26mΩ、チャンネルはPチャンネル、パッケージはDFN2X2-6Lです。
WINSOK MOSFET の応用分野
高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れたCdv/dt効果低下グリーンデバイス利用可能、顔認識装置MOSFET、電子タバコMOSFET、小型家電MOSFET、自動車充電器MOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
AOS MOSFET AON2409、POTENS MOSFET PDB3909L
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | -40 | V |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID@Tc=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS@ -10V1 | -18 | A |
| ID@Tc=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS@ -10V1 | -14.6 | A |
| IDM | 300μSのパルスドレイン電流、VGS=-4.5V2 | 54 | A |
| PD@Tc=25℃ | 総消費電力3 | 19 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55～150 | ℃ |
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25 ℃)
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃を基準にすると、D=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=-10V、私D=-8.0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
| VGS=-4.5V、ID=-6.0A | --- | 31 | 42 | |||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=-250μA | -1.0 | -1.5 | -3.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)温度係数 | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=-40V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-40V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | 総ゲート電荷 (-4.5V) | VDS=-20V、VGS=-10V、私D=-1.5A | --- | 27 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 2.5 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 6.7 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=-20V、VGS=-10V、RG=3Ω、RL=10Ω | --- | 9.8 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 11 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 54 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 7.1 | --- | ||
| Cです | 入力容量 | VDS=-20V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1560年 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 116 | --- | ||
| CRSS | 逆伝達容量 | --- | 97 | --- |
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