WSD4076DN56 N チャネル 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD4076DN56 MOSFETの電圧は40V、電流は76A、抵抗は6.9mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
小型家電MOSFET、携帯家電MOSFET、モーターMOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
STマイクロエレクトロニクスMOSFET STL52DN4LF7AG、STL64DN4F7AG、STL64N4F7AG。
パンジット MOSFET PJQ5442。
ポテンス半導体 MOSFET PDC496X。
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 40 | V |
| VGS | ゲート荘rCE電圧 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS@10V | 76 | A |
| ID@TC=100℃ | 連続ドレイン電流、VGS@10V | 33 | A |
| IDM | パルスドレイン電流a | 125 | A |
| EAS | シングルパルスアバランシェエネルギーb | 31 | mJ |
| IAS | なだれ電流 | 31 | A |
| PD@Ta=25℃ | 総消費電力 | 1.7 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS温度係数 | 25を参照℃、 私D=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、ID=12A | --- | 6.9 | 8.5 | mΩ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=4.5V、ID=10A | --- | 10 | 15 | mΩ |
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250μA | 1.5 | 1.6 | 2.5 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)温度係数 | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=32V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、私D=20A | --- | 18 | --- | S |
| Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1.7 | --- | Ω |
| Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=20V、VGS=4.5V、ID=12A | --- | 5.8 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 3.0 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 1.2 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=15V、Vゲン=10V、RG=3.3Ω、 私D=1A 。 | --- | 12 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 5.6 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 20 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 11 | --- | ||
| Cです | 入力容量 | VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 680 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 185 | --- | ||
| CRSS | 逆伝達容量 | --- | 38 | --- |
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