WSD4280DN22 デュアル P チャネル -15V -4.6A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD4280DN22 MOSFETの電圧は-15V、電流は-4.6A、抵抗は47mΩ、チャンネルはデュアルPチャンネル、パッケージはDFN2X2-6Lです。
WINSOK MOSFET の応用分野
双方向ブロッキングスイッチ。 DC-DC変換アプリケーション;リチウム電池充電;電子タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、自動車充電MOSFET、コントローラMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
パンジット MOSFET PJQ2815
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | -15 | V |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±8 | V |
| ID@Tc=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS= -4.5V1 | -4.6 | A |
| IDM | 300μSのパルスドレイン電流、(VGS=-4.5V) | -15 | A |
| PD | Tを超える消費電力ディレーティングA =25℃(注2) | 1.9 | W |
| TSTG,TJ | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| RθJA | 熱抵抗 接合部周囲温度1 | 65 | ℃/W |
| RθJC | ジャンクションケース間の熱抵抗1 | 50 | ℃/W |
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25 ℃)
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=-250μA | -15 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃を基準にすると、D=-1mA | --- | -0.01 | --- | V/℃ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=-4.5V、ID=-1A | --- | 47 | 61 | mΩ |
| VGS=-2.5V、ID=-1A | --- | 61 | 80 | |||
| VGS=-1.8V、ID=-1A | --- | 90 | 150 | |||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=-250μA | -0.4 | -0.62 | -1.2 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)温度係数 | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=-10V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-10V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±12V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=-5V、私D=-1A | --- | 10 | --- | S |
| Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 2 | --- | Ω |
| Qg | 総ゲート電荷 (-4.5V) | VDS=-10V、VGS=-4.5V、ID=-4.6A | --- | 9.5 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 1.4 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 2.3 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=-10V、VGS=-4.5V、RG=1Ω ID=-3.9A、 | --- | 15 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 16 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 30 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 10 | --- | ||
| Cです | 入力容量 | VDS=-10V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 781 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 98 | --- | ||
| CRSS | 逆伝達容量 | --- | 96 | --- |
