WSD6040DN56 N チャネル 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD6040DN56 N チャネル 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

部品番号:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDソン:14mΩ 

チャネル:Nチャンネル

パッケージ:DFN5X6-8


製品の詳細

応用

製品タグ

WINSOK MOSFET 製品概要

WSD6040DN56 MOSFETの電圧は60V、電流は36A、抵抗は14mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。

WINSOK MOSFET の応用分野

電子タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、モーターMOSFET、ドローンMOSFET、医療MOSFET、自動車充電器MOSFET、コントローラーMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。

WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します

AOS MOSFET AON6264C、AON6264E、AON6266E、AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Semiconductor MOSFET PDC6964X。

MOSFETパラメータ

シンボル

パラメータ

評価

単位

VDS

ドレイン・ソース間電圧

60

V

VGS

ゲート・ソース間電圧

±20

V

ID

連続ドレイン電流 TC=25℃

36

A

TC=100℃

22

ID

連続ドレイン電流 TA=25℃

8.4

A

TA=100℃

6.8

IDMa

パルスドレイン電流 TC=25℃

140

A

PD

最大消費電力 TC=25℃

37.8

W

TC=100℃

15.1

PD

最大消費電力 TA=25℃

2.08

W

TA=70℃

1.33

IAS c

アバランシェ電流、シングルパルス

L=0.5mH

16

A

EASc

シングルパルスアバランシェエネルギー

L=0.5mH

64

mJ

IS

ダイオード連続順電流

TC=25℃

18

A

TJ

最大接合部温度

150

TSTG

保存温度範囲

-55~150

RθJAb

接合部から周囲までの熱抵抗

定常状態

60

/W

RθJC

熱抵抗 - 接合部からケースまで

定常状態

3.3

/W

 

シンボル

パラメータ

条件

分。

典型的。

最大。

ユニット

静的        

V(BR)DSS

ドレイン・ソース間耐圧

VGS = 0V、ID = 250μA

60    

V

IDSS

ゼロゲート電圧ドレイン電流

VDS = 48V、VGS = 0V

   

1

μA

 

TJ=85℃

   

30

IGSS

ゲートリーク電流

VGS = ±20V、VDS = 0V

    ±100

nA

特性について        

VGS(TH)

ゲートしきい値電圧

VGS = VDS、IDS = 250μA

1

1.6

2.5

V

RDS(オン)d

ドレイン・ソース間のオン状態抵抗

VGS = 10V、ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4.5V、ID = 20A

  19

22

スイッチング        

Qg

総ゲート電荷量

VDS=30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

ゲートサワーチャージ  

6.4

 

nC

Qgd

ゲート・ドレイン間の充電  

9.6

 

nC

td(オン)

ターンオン遅延時間

VGEN=10V

VDD=30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

ターンオン立ち上がり時間  

9

 

ns

td(オフ)

ターンオフ遅延時間   58  

ns

tf

ターンオフ立ち下がり時間   14  

ns

Rg

ゲート抵抗

VGS=0V、VDS=0V、f=1MHz

 

1.5

 

Ω

動的        

シス

静電容量内

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

コス

出力容量   140  

pF

クロス

逆伝達容量   100  

pF

ドレイン・ソース間ダイオードの特性と最大定格        

IS

連続ソース電流

VG=VD=0V 、強制電流

   

18

A

ISM

パルスソース電流3    

35

A

VSDd

ダイオード順電圧

ISD=20A、VGS=0V

 

0.8

1.3

V

てら

逆回復時間

ISD=25A、dlSD/dt=100A/μs

  27  

ns

Qrr

逆回復チャージ   33  

nC


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