WSD6060DN56 N チャネル 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD6060DN56 MOSFETの電圧は60V、電流は65A、抵抗は7.5mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
電子タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、モーターMOSFET、ドローンMOSFET、医療MOSFET、自動車充電器MOSFET、コントローラーMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS 半導体 MOSFET PDC696X。
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | ユニット | |
| 共通の評価 | ||||
| VDSS | ドレイン・ソース間電圧 | 60 | V | |
| VGSS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V | |
| TJ | 最大接合部温度 | 150 | ℃ | |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ | |
| IS | ダイオード連続順電流 | Tc=25℃ | 30 | A |
| ID | 連続ドレイン電流 | Tc=25℃ | 65 | A |
| Tc=70℃ | 42 | |||
| DMします | パルスドレイン電流のテスト済み | Tc=25℃ | 250 | A |
| PD | 最大消費電力 | Tc=25℃ | 62.5 | W |
| TC=70℃ | 38 | |||
| RqJL | 熱抵抗 - 接合部からリードまで | 定常状態 | 2.1 | ℃/W |
| RqJA | 熱抵抗 - 接合部から周囲まで | t £ 10代 | 45 | ℃/W |
| 定常状態b | 50 | |||
| 私はAS d | アバランシェ電流、シングルパルス | L=0.5mH | 18 | A |
| EASd | アバランシェエネルギー、シングルパルス | L=0.5mH | 81 | mJ |
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット | |
| 静特性 | |||||||
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私DS=250mA | 60 | - | - | V | |
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | VDS=48V、VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85℃ | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VDS=VGS、 私DS=250mA | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V | |
| IGSS | ゲートリーク電流 | VGS=±20V、VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| R DS(ON) 3 | ドレイン・ソース間のオン状態抵抗 | VGS=10V、私DS=20A | - | 7.5 | 10 | m W | |
| VGS=4.5V、IDS=15A | - | 10 | 15 | ||||
| ダイオードの特性 | |||||||
| VSD | ダイオード順電圧 | ISD=1A、VGS=0V | - | 0.75 | 1.2 | V | |
| trr | 逆回復時間 | ISD=20A、dlSD /dt=100A/μs | - | 42 | - | ns | |
| Qrr | 逆回復チャージ | - | 36 | - | nC | ||
| 動特性3,4 | |||||||
| RG | ゲート抵抗 | VGS=0V,VDS=0V、F=1MHz | - | 1.5 | - | W | |
| Cです | 入力容量 | VGS=0V、 VDS=30V、 F=1.0MHzΩ | - | 1340 | - | pF | |
| Cオス | 出力容量 | - | 270 | - | |||
| CRSS | 逆伝達容量 | - | 40 | - | |||
| td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=30V、IDS=1A, VGEN=10V, RG=6Ω。 | - | 15 | - | ns | |
| tr | ターンオン立ち上がり時間 | - | 6 | - | |||
| td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | - | 33 | - | |||
| tf | ターンオフ立ち下がり時間 | - | 30 | - | |||
| ゲートチャージ特性 3,4 | |||||||
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=30V、 VGS=4.5V、IDS=20A | - | 13 | - | nC | |
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=30V、VGS=10V、 IDS=20A | - | 27 | - | ||
| Qぐ | 閾値ゲート電荷 | - | 4.1 | - | |||
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | - | 5 | - | |||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | - | 4.2 | - | |||
ここにメッセージを書いて送信してください
