WSD6070DN56 N チャンネル 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD6070DN56 N チャンネル 60V 80A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

部品番号:WSD6070DN56

BVDSS:60V

ID:80A

RDソン:7.3mΩ 

チャネル:Nチャンネル

パッケージ:DFN5X6-8


製品の詳細

応用

製品タグ

WINSOK MOSFET 製品概要

WSD6070DN56 MOSFETの電圧は60V、電流は80A、抵抗は7.3mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。

WINSOK MOSFET の応用分野

電子タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、モーターMOSFET、ドローンMOSFET、医療MOSFET、自動車充電器MOSFET、コントローラーMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。

WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します

ポテンス半導体MOSFET PDC696X。

MOSFETパラメータ

シンボル

パラメータ

評価

単位

VDS

ドレイン・ソース間電圧

60

V

VGS

ゲート荘rCE電圧

±20

V

TJ

最大接合部温度

150

ID

保存温度範囲

-55~150

IS

ダイオード連続順電流、TC=25℃

80

A

ID

連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=25℃

80

A

連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=100℃

66

A

IDM

パルスドレイン電流、TC=25℃

300

A

PD

最大消費電力、TC=25℃

150

W

最大消費電力、TC=100℃

75

W

RθJA

熱抵抗 - 接合部から周囲温度まで、t =10s ̀

50

℃/W

熱抵抗 - 接合部から周囲温度、定常状態まで

62.5

℃/W

RqJC

熱抵抗 - 接合部からケースまで

1

℃/W

IAS

アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH

30

A

EAS

アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH

225

mJ

 

シンボル

パラメータ

条件

分。

典型的。

最大。

ユニット

BVDSS

ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、私D=250uA

60

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSS温度係数 25を参照、 私D=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(オン)

静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、ID=40A

---

7.0

9.0

mΩ

VGS(th)

ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、 私D=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)温度係数

---

-6.94

---

mV/

IDSS

ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=48V、VGS=0V、TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V、VGS=0V、TJ=55

---

---

10

IGSS

ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V

---

---

±100

nA

ガールフレンド

順方向相互コンダクタンス VDS=5V、私D=20A

---

50

---

S

Rg

ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz

---

1.0

---

Ω

Qg

総ゲート電荷 (10V) VDS=30V、VGS=10V、私D=40A

---

48

---

nC

Qgs

ゲート・ソース間の電荷

---

17

---

Qgd

ゲート・ドレイン間の充電

---

12

---

Td(オン)

ターンオン遅延時間 VDD=30V、Vゲン=10V、RG=1Ω、 私D=1A、RL=15Ω。

---

16

---

ns

Tr

立ち上がり時間

---

10

---

Td(オフ)

ターンオフ遅延時間

---

40

---

Tf

フォールタイム

---

35

---

Cです

入力容量 VDS=30V、VGS=0V、f=1MHz

---

2680

---

pF

コス

出力容量

---

386

---

CRSS

逆伝達容量

---

160

---


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