WSD60N10GDN56 N チャネル 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD60N10GDN56 MOSFETの電圧は100V、電流は60A、抵抗は8.5mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
電子タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、モーターMOSFET、ドローンMOSFET、医療MOSFET、自動車充電器MOSFET、コントローラーMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。
MOSFETの応用分野WINSOK MOSFETは他のブランドの材料番号に対応
AOS MOSFET AON6226、AON6294、AON6298、AONS6292、AONS6692、AONS66923.Onsemi、FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP、SiR87ADP.INFINEON、IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL 、TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS 半導体MOSFET PDC92X。
MOSFETパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 100 | V |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流 | 60 | A |
IDP | パルスドレイン電流 | 210 | A |
EAS | アバランシェエネルギー、シングルパルス | 100 | mJ |
PD@TC=25℃ | 総消費電力 | 125 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55~150 | ℃ |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55~150 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 100 | --- | --- | V |
静的ドレイン・ソース間オン抵抗 | VGS=10V、ID=10A。 | --- | 8.5 | 10.0 | mΩ | |
RDS(オン) | VGS=4.5V、ID=10A。 | --- | 9.5 | 12.0 | mΩ | |
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250uA | 1.0 | --- | 2.5 | V |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=50V、VGS=10V、私D=25A | --- | 49.9 | --- | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 6.5 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 12.4 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=50V、VGS=10V、RG=2.2Ω、ID=25A | --- | 20.6 | --- | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 5 | --- | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 51.8 | --- | ||
Tf | フォールタイム | --- | 9 | --- | ||
Cです | 入力容量 | VDS=50V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 2604 | --- | pF |
コス | 出力容量 | --- | 362 | --- | ||
CRSS | 逆伝達容量 | --- | 6.5 | --- | ||
IS | 連続ソース電流 | VG=VD=0V、強制電流 | --- | --- | 60 | A |
ISP | パルスソース電流 | --- | --- | 210 | A | |
VSD | ダイオード順電圧 | VGS=0V、私S=12A、TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
trr | 逆回復時間 | IF=12A、dI/dt=100A/μs、TJ=25℃ | --- | 60.4 | --- | nS |
Qrr | 逆回復チャージ | --- | 106.1 | --- | nC |