WSD60N10GDN56 N チャネル 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD60N10GDN56 N チャネル 100V 60A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

部品番号:WSD60N10GDN56

BVDSS:100V

ID:60A

RDソン:8.5mΩ

チャネル:Nチャンネル

パッケージ:DFN5X6-8


製品詳細

応用

製品タグ

WINSOK MOSFET 製品概要

WSD60N10GDN56 MOSFETの電圧は100V、電流は60A、抵抗は8.5mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。

WINSOK MOSFET の応用分野

電子タバコMOSFET、ワイヤレス充電MOSFET、モーターMOSFET、ドローンMOSFET、医療MOSFET、自動車充電器MOSFET、コントローラーMOSFET、デジタル製品MOSFET、小型家電MOSFET、家電MOSFET。

MOSFETの応用分野WINSOK MOSFETは他のブランドの材料番号に対応

AOS MOSFET AON6226、AON6294、AON6298、AONS6292、AONS6692、AONS66923.Onsemi、FAIRCHILD MOSFET NTMFS6B14N.VISHAY MOSFET SiR84DP、SiR87ADP.INFINEON、IR MOSFET BSC19N1NS3G.TOSHIBA MOSFET TPH6R3ANL 、TPH8R8ANH.PANJIT MOSFET PJQ5478A.NIKO-SEM MOSFET P81BKA.POTENS 半導体MOSFET PDC92X。

MOSFETパラメータ

シンボル

パラメータ

評価

単位

VDS

ドレイン・ソース間電圧

100

V

VGS

ゲート・ソース間電圧

±20

V

ID@TC=25℃

連続ドレイン電流

60

A

IDP

パルスドレイン電流

210

A

EAS

アバランシェエネルギー、シングルパルス

100

mJ

PD@TC=25℃

総消費電力

125

W

TSTG

保存温度範囲

-55~150

TJ 

動作ジャンクション温度範囲

-55~150

 

シンボル

パラメータ

条件

分。

典型的。

最大。

ユニット

BVDSS 

ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、私D=250μA

100

---

---

V

  静的ドレイン・ソース間オン抵抗 VGS=10V、ID=10A。

---

8.5

10.0

RDS(オン)

VGS=4.5V、ID=10A。

---

9.5

12.0

VGS(th)

ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、 私D=250uA

1.0

---

2.5

V

IDSS

ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

総ゲート電荷 (10V) VDS=50V、VGS=10V、私D=25A

---

49.9

---

nC

Qgs 

ゲート・ソース間の電荷

---

6.5

---

Qgd 

ゲート・ドレイン間の充電

---

12.4

---

Td(オン)

ターンオン遅延時間 VDD=50V、VGS=10V、RG=2.2Ω、ID=25A

---

20.6

---

ns

Tr 

立ち上がり時間

---

5

---

Td(オフ)

ターンオフ遅延時間

---

51.8

---

Tf 

フォールタイム

---

9

---

Cです 

入力容量 VDS=50V、VGS=0V、f=1MHz

---

2604

---

pF

コス

出力容量

---

362

---

CRSS 

逆伝達容量

---

6.5

---

IS 

連続ソース電流 VG=VD=0V、強制電流

---

---

60

A

ISP

パルスソース電流

---

---

210

A

VSD

ダイオード順電圧 VGS=0V、私S=12A、TJ=25℃

---

---

1.3

V

trr 

逆回復時間 IF=12A、dI/dt=100A/μs、TJ=25℃

---

60.4

---

nS

Qrr 

逆回復チャージ

---

106.1

---

nC


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