WSD60N12GDN56 N チャネル 120V 70A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD60N12GDN56 MOSFETの電圧は120V、電流は70A、抵抗は10mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
医療機器MOSFET、ドローンMOSFET、PD電源MOSFET、LED電源MOSFET、産業機器MOSFET。
MOSFETの応用分野WINSOK MOSFETは他のブランドの材料番号に対応
AOS MOSFET AON6226、AON6294、AON6298、AONS6292、AONS6692、AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.POTENS 半導体 MOSFET PDC974X。
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 120 | V |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流 | 70 | A |
| IDP | パルスドレイン電流 | 150 | A |
| EAS | アバランシェエネルギー、シングルパルス | 53.8 | mJ |
| PD@TC=25℃ | 総消費電力 | 140 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 120 | --- | --- | V |
| 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 | VGS=10V、ID=10A。 | --- | 10 | 15 | mΩ | |
| RDS(オン) | VGS=4.5V、ID=10A。 | --- | 18 | 25 | mΩ | |
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250μA | 1.2 | --- | 2.5 | V |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=50V、VGS=10V、私D=25A | --- | 33 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 5.6 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 7.2 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=50V、VGS=10V、 RG=2Ω、私D=25A | --- | 22 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 10 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 85 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 112 | --- | ||
| Cです | 入力容量 | VDS=50V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 2640 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 330 | --- | ||
| CRSS | 逆伝達容量 | --- | 11 | --- | ||
| IS | 連続ソース電流 | VG=VD=0V、強制電流 | --- | --- | 50 | A |
| ISP | パルスソース電流 | --- | --- | 150 | A | |
| VSD | ダイオード順電圧 | VGS=0V、私S=12A、TJ=25℃ | --- | --- | 1.3 | V |
| trr | 逆回復時間 | IF=25A、dI/dt=100A/μs、TJ=25℃ | --- | 62 | --- | nS |
| Qrr | 逆回復チャージ | --- | 135 | --- | nC |
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