WSD75N12GDN56 N チャネル 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD75N12GDN56 MOSFETの電圧は120V、電流は75A、抵抗は6mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
医療機器MOSFET、ドローンMOSFET、PD電源MOSFET、LED電源MOSFET、産業機器MOSFET。
MOSFETの応用分野WINSOK MOSFETは他のブランドの材料番号に対応
AOS MOSFET AON6226、AON6294、AON6298、AONS6292、AONS6692、AONS66923。PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1。
MOSFETパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
VDSS | ドレイン・ソース間電圧 | 120 | V |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
ID | 1 連続ドレイン電流 (Tc=25℃) | 75 | A |
ID | 1 連続ドレイン電流 (Tc=70℃) | 70 | A |
IDM | パルスドレイン電流 | 320 | A |
IAR | シングルパルスアバランシェ電流 | 40 | A |
EASa | シングルパルスアバランシェエネルギー | 240 | mJ |
PD | 消費電力 | 125 | W |
TJ、Tstg | 動作ジャンクションおよび保管温度範囲 | -55~150 | ℃ |
TL | はんだ付けの最高温度 | 260 | ℃ |
RθJC | 熱抵抗、ジャンクションからケースまで | 1.0 | ℃/W |
RθJA | 熱抵抗、接合部から周囲まで | 50 | ℃/W |
シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | 単位 |
VDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250μA | 120 | -- | -- | V |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=120V、VGS=0V | -- | -- | 1 | μA |
IGSS(F) | ゲートからソースへの順方向リーク | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
IGSS(R) | ゲートからソースへの逆リーク | VGS = -20V | -- | -- | -100 | nA |
VGS(TH) | ゲートしきい値電圧 | VDS=VGS、ID=250μA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
RDS(オン)1 | ドレイン・ソース間のオン抵抗 | VGS=10V、ID=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
gFS | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、ID=50A | 130 | -- | S | |
シス | 入力容量 | VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
コス | 出力容量 | -- | 429 | -- | pF | |
クロス | 逆伝達容量 | -- | 17 | -- | pF | |
Rg | ゲート抵抗 | -- | 2.5 | -- | Ω | |
td(オン) | ターンオン遅延時間 | ID = 20A VDS = 50V VGS = 10V RG = 5Ω | -- | 20 | -- | ns |
tr | 立ち上がり時間 | -- | 11 | -- | ns | |
td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | -- | 55 | -- | ns | |
tf | フォールタイム | -- | 28 | -- | ns | |
Qg | 総ゲート電荷量 | VGS =0~10V VDS = 50VID=20A | -- | 61.4 | -- | nC |
Qgs | ゲート・ソース・チャージ | -- | 17.4 | -- | nC | |
Qgd | ゲートドレインチャージ | -- | 14.1 | -- | nC | |
IS | ダイオードの順電流 | TC =25 °C | -- | -- | 100 | A |
ISM | ダイオードパルス電流 | -- | -- | 320 | A | |
VSD | ダイオード順電圧 | IS=6.0A、VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
てら | 逆回復時間 | IS=20A、VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
Qrr | 逆回復チャージ | -- | 250 | -- | nC |