WSD75N12GDN56 N チャネル 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD75N12GDN56 N チャネル 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

部品番号:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

ID:75A

RDソン:6mΩ

チャネル:Nチャンネル

パッケージ:DFN5X6-8


製品詳細

応用

製品タグ

WINSOK MOSFET 製品概要

WSD75N12GDN56 MOSFETの電圧は120V、電流は75A、抵抗は6mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。

WINSOK MOSFET の応用分野

医療機器MOSFET、ドローンMOSFET、PD電源MOSFET、LED電源MOSFET、産業機器MOSFET。

MOSFETの応用分野WINSOK MOSFETは他のブランドの材料番号に対応

AOS MOSFET AON6226、AON6294、AON6298、AONS6292、AONS6692、AONS66923。PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1。

MOSFETパラメータ

シンボル

パラメータ

評価

単位

VDSS

ドレイン・ソース間電圧

120

V

VGS

ゲート・ソース間電圧

±20

V

ID

1

連続ドレイン電流 (Tc=25℃)

75

A

ID

1

連続ドレイン電流 (Tc=70℃)

70

A

IDM

パルスドレイン電流

320

A

IAR

シングルパルスアバランシェ電流

40

A

EASa

シングルパルスアバランシェエネルギー

240

mJ

PD

消費電力

125

W

TJ、Tstg

動作ジャンクションおよび保管温度範囲

-55~150

TL

はんだ付けの最高温度

260

RθJC

熱抵抗、ジャンクションからケースまで

1.0

℃/W

RθJA

熱抵抗、接合部から周囲まで

50

℃/W

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

典型的。

最大。

単位

VDSS

ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250μA

120

--

--

V

IDSS

ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=120V、VGS=0V

--

--

1

μA

IGSS(F)

ゲートからソースへの順方向リーク VGS =+20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

ゲートからソースへの逆リーク VGS = -20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

ゲートしきい値電圧 VDS=VGS、ID=250μA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(オン)1

ドレイン・ソース間のオン抵抗 VGS=10V、ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

順方向相互コンダクタンス VDS=5V、ID=50A  

130

--

S

シス

入力容量 VGS = 0V VDS = 50V f =1.0MHz

--

4282

--

pF

コス

出力容量

--

429

--

pF

クロス

逆伝達容量

--

17

--

pF

Rg

ゲート抵抗

--

2.5

--

Ω

td(オン)

ターンオン遅延時間

ID = 20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

立ち上がり時間

--

11

--

ns

td(オフ)

ターンオフ遅延時間

--

55

--

ns

tf

フォールタイム

--

28

--

ns

Qg

総ゲート電荷量 VGS =0~10V VDS = 50VID=20A

--

61.4

--

nC

Qgs

ゲート・ソース・チャージ

--

17.4

--

nC

Qgd

ゲートドレインチャージ

--

14.1

--

nC

IS

ダイオードの順電流 TC =25 °C

--

--

100

A

ISM

ダイオードパルス電流

--

--

320

A

VSD

ダイオード順電圧 IS=6.0A、VGS=0V

--

--

1.2

V

てら

逆回復時間 IS=20A、VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

Qrr

逆回復チャージ

--

250

--

nC


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