WSD80100DN56 N チャンネル 80V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD80100DN56 MOSFETの電圧は80V、電流は100A、抵抗は6.1mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
ドローンMOSFET、モーターMOSFET、自動車エレクトロニクスMOSFET、主要家電MOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
AOS MOSFET AON6276、AONS62814T.STMicroelectronics MOSFET STL1N8F7.POTENS 半導体 MOSFET PDC7966X。
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 80 | V |
| VGS | ゲート荘rCE電圧 | ±20 | V |
| TJ | 最大接合部温度 | 150 | ℃ |
| ID | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| ID | 連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=25℃ | 100 | A |
| 連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=100℃ | 80 | A | |
| IDM | パルスドレイン電流、TC=25℃ | 380 | A |
| PD | 最大消費電力、TC=25℃ | 200 | W |
| RqJC | 熱抵抗 - 接合部からケースまで | 0.8 | ℃ |
| EAS | アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH | 800 | mJ |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 80 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS温度係数 | 25を参照℃、 私D=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、ID=40A | --- | 6.1 | 8.5 | mΩ |
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)温度係数 | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=48V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=48V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、私D=20A | 80 | --- | --- | S |
| Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=30V、VGS=10V、私D=30A | --- | 125 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 24 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 30 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=30V、VGS=10V、 RG=2.5Ω、 私D=2A、RL=15Ω。 | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 19 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 70 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 30 | --- | ||
| Cです | 入力容量 | VDS=25V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 4900 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 410 | --- | ||
| CRSS | 逆伝達容量 | --- | 315 | --- |
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