WSD80120DN56 N チャネル 85V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD80120DN56 MOSFETの電圧は85V、電流は120A、抵抗は3.7mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
医療電圧MOSFET、写真機器MOSFET、ドローンMOSFET、産業制御MOSFET、5G MOSFET、自動車エレクトロニクスMOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
AOS MOSFET AON6276、AONS62814T.STマイクロエレクトロニクス MOSFET STL13N8F7、STL135N8F7AG。
MOSFETパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 85 | V |
| VGS | ゲート荘rCE電圧 | ±25 | V |
| ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS@10V | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | 連続ドレイン電流、VGS@10V | 96 | A |
| IDM | パルスドレイン電流..TC=25℃ | 384 | A |
| EAS | アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH | 320 | mJ |
| IAS | アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH | 180 | A |
| PD@TC=25℃ | 総消費電力 | 104 | W |
| PD@TC=100℃ | 総消費電力 | 53 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55 ～ 175 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | 175 | ℃ |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 85 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS温度係数 | 25を参照℃、 私D=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 | VGS=10V、ID=50A | --- | 3.7 | 4.8 | mΩ |
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th)温度係数 | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=85V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±25V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
| Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=50V、VGS=10V、私D=10A | --- | 54 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 17 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 11 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=50V、VGS=10V、 RG=1Ω、RL=1Ω、IDS=10A。 | --- | 21 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 18 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 36 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 10 | --- | ||
| Cです | 入力容量 | VDS=40V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 3750 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 395 | --- | ||
| CRSS | 逆伝達容量 | --- | 180 | --- |
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