WSD80130DN56 N チャネル 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

製品

WSD80130DN56 N チャネル 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

部品番号:WSD80130DN56

BVDSS:80V

ID:130A

RDソン:2.7mΩ

チャネル:Nチャンネル

パッケージ:DFN5X6-8


製品の詳細

応用

製品タグ

WINSOK MOSFET 製品概要

WSD80130DN56 MOSFETの電圧は80V、電流は130A、抵抗は2.7mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。

WINSOK MOSFET の応用分野

ドローン MOSFET、モーター MOSFET、医療 MOSFET、電動工具 MOSFET、ESC MOSFET。

WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します

AOS MOSFET AON6276、AONS62814T.STマイクロエレクトロニクス MOSFET STL13N8F7、STL135N8F7AG。

MOSFETパラメータ

シンボル

パラメータ

評価

単位

VDS

ドレイン・ソース間電圧

80

V

VGS

ゲート荘rCE電圧

±20

V

TJ

最大接合部温度

150

ID

保存温度範囲

-55~150

ID

連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=25℃

130

A

連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=70℃

89

A

IDM

パルスドレイン電流、TC=25℃

400

A

PD

最大消費電力、TC=25℃

200

W

RqJC

熱抵抗 - 接合部からケースまで

1.25

       

 

シンボル

パラメータ

条件

分。

典型的。

最大。

ユニット

BVDSS

ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、私D=250uA

80

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSS温度係数 25を参照、 私D=1mA

---

0.043

---

V/

RDS(オン)

静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、ID=40A

---

2.7

3.6

mΩ

VGS(th)

ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、 私D=250uA

2.0

3.0

4.0

V

VGS(th)

VGS(th)温度係数

---

-6.94

---

mV/

IDSS

ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=48V、VGS=0V、TJ=25

---

---

2

uA

VDS=48V、VGS=0V、TJ=55

---

---

10

IGSS

ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

総ゲート電荷 (10V) VDS=30V、VGS=10V、私D=30A

---

48.6

---

nC

Qgs

ゲート・ソース間の電荷

---

17.5

---

Qgd

ゲート・ドレイン間の充電

---

10.4

---

Td(オン)

ターンオン遅延時間 VDD=30V、VGS=10V、

RG=2.5Ω、 私D=2A、RL=15Ω。

---

20

---

ns

Tr

立ち上がり時間

---

10

---

Td(オフ)

ターンオフ遅延時間

---

35

---

Tf

フォールタイム

---

12

---

Cです

入力容量 VDS=25V、VGS=0V、f=1MHz

---

4150

---

pF

コス

出力容量

---

471

---

CRSS

逆伝達容量

---

20

---


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