WSD80130DN56 N チャネル 80V 130A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET 製品概要
WSD80130DN56 MOSFETの電圧は80V、電流は130A、抵抗は2.7mΩ、チャンネルはNチャンネル、パッケージはDFN5X6-8です。
WINSOK MOSFET の応用分野
ドローン MOSFET、モーター MOSFET、医療 MOSFET、電動工具 MOSFET、ESC MOSFET。
WINSOK MOSFETは他のブランドの材質番号に対応します
AOS MOSFET AON6276、AONS62814T.STマイクロエレクトロニクス MOSFET STL13N8F7、STL135N8F7AG。
MOSFETパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 80 | V |
VGS | ゲート荘rCE電圧 | ±20 | V |
TJ | 最大接合部温度 | 150 | ℃ |
ID | 保存温度範囲 | -55~150 | ℃ |
ID | 連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=25℃ | 130 | A |
連続ドレイン電流、VGS=10V、TC=70℃ | 89 | A | |
IDM | パルスドレイン電流、TC=25℃ | 400 | A |
PD | 最大消費電力、TC=25℃ | 200 | W |
RqJC | 熱抵抗 - 接合部からケースまで | 1.25 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、私D=250μA | 80 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS温度係数 | 25を参照℃、 私D=1mA | --- | 0.043 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、ID=40A | --- | 2.7 | 3.6 | mΩ |
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、 私D=250μA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th)温度係数 | --- | -6.94 | --- | mV/℃ | |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=48V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
VDS=48V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=30V、VGS=10V、私D=30A | --- | 48.6 | --- | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 17.5 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 10.4 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=30V、VGS=10V、 RG=2.5Ω、 私D=2A、RL=15Ω。 | --- | 20 | --- | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 10 | --- | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 35 | --- | ||
Tf | フォールタイム | --- | 12 | --- | ||
Cです | 入力容量 | VDS=25V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 4150 | --- | pF |
コス | 出力容量 | --- | 471 | --- | ||
CRSS | 逆伝達容量 | --- | 20 | --- |
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