WSF4022 デュアル N チャネル 40V 20A TO-252-4L WINSOK MOSFET
概要
WSF4022 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ デュアル N-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。WSF4022 は、RoHS およびグリーン製品要件を満たし、フル機能で 100% EAS を保証します。信頼性が認められました。
特徴
ファンプリドライバー H ブリッジ、モーター制御、同期整流、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、非常用電源、ドローン、医療、車の充電器、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家庭用電化製品用。
アプリケーション
ファンプリドライバー H ブリッジ、モーター制御、同期整流、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、非常用電源、ドローン、医療、車の充電器、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家庭用電化製品用。
対応材質番号
AOS
重要なパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 | |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 40 | V | |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V | |
| ID | ドレイン電流(連続) ※AC | TC=25℃ | 20* | A |
| ID | ドレイン電流(連続) ※AC | TC=100℃ | 20* | A |
| ID | ドレイン電流(連続) ※AC | TA=25℃ | 12.2 | A |
| ID | ドレイン電流(連続) ※AC | TA=70℃ | 10.2 | A |
| IDMa | パルスドレイン電流 | TC=25℃ | 80* | A |
| EASb | シングルパルスアバランシェエネルギー | L=0.5mH | 25 | mJ |
| IAS b | なだれ電流 | L=0.5mH | 17.8 | A |
| PD | 最大消費電力 | TC=25℃ | 39.4 | W |
| PD | 最大消費電力 | TC=100℃ | 19.7 | W |
| PD | 消費電力 | TA=25℃ | 6.4 | W |
| PD | 消費電力 | TA=70℃ | 4.2 | W |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | 175 | ℃ | |
| TSTG | 動作温度/保存温度 | -55～175 | ℃ | |
| RθJAb | 接合部-周囲温度の熱抵抗 | 定常状態 c | 60 | ℃/W |
| RθJC | 接合部からケースまでの熱抵抗 | 3.8 | ℃/W |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| 静的 | ||||||
| V(BR)DSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS = 0V、ID = 250μA | 40 | V | ||
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | VDS = 32V、VGS = 0V | 1 | μA | ||
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | VDS=32V、VGS=0V、TJ=85℃ | 30 | μA | ||
| IGSS | ゲートリーク電流 | VGS = ±20V、VDS = 0V | ±100 | nA | ||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS = VDS、IDS = 250μA | 1.1 | 1.6 | 2.5 | V |
| RDS(オン) d | ドレイン・ソース間のオン状態抵抗 | VGS = 10V、ID = 10A | 16 | 21 | mΩ | |
| VGS = 4.5V、ID = 5A | 18 | 25 | mΩ | |||
| ゲート担当者 | ||||||
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=20V、VGS=4.5V、ID=10A | 7.5 | nC | ||
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | 3.24 | nC | |||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | 2.75 | nC | |||
| ダイナミス | ||||||
| シス | 入力容量 | VGS=0V、VDS=20V、f=1MHz | 815 | pF | ||
| コス | 出力容量 | 95 | pF | |||
| クロス | 逆伝達容量 | 60 | pF | |||
| td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=20V、VGEN=10V、 IDS=1A、RG=6Ω、RL=20Ω。 | 7.8 | ns | ||
| tr | ターンオン立ち上がり時間 | 6.9 | ns | |||
| td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | 22.4 | ns | |||
| tf | ターンオフ立ち下がり時間 | 4.8 | ns | |||
| ダイオード | ||||||
| VSDd | ダイオード順電圧 | ISD=1A、VGS=0V | 0.75 | 1.1 | V | |
| てら | 入力容量 | IDS=10A、dlSD/dt=100A/μs | 13 | ns | ||
| Qrr | 出力容量 | 8.7 | nC | |||
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