WSF6012 N&P チャネル 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

製品

WSF6012 N&P チャネル 60V/-60V 20A/-15A TO-252-4L WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WSF6012
  • BVDSS:60V/-60V
  • RDソン:28mΩ/75mΩ
  • ID:20A/-15A
  • チャネル:N&Pチャンネル
  • パッケージ:TO-252-4L
  • 製品概要:WSF6012 MOSFET は、60V と -60V の電圧範囲を持ち、最大 20A と -15A の電流を処理でき、28mΩ と 75mΩ の抵抗を持ち、N&P チャネルの両方を備え、TO-252-4L にパッケージされています。
  • アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、電源バックアップ、ドローン、ヘルスケア、車の充電器、コントローラー、電子機器、電化製品、消費財。
  • 製品の詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WSF6012 MOSFET は、高セル密度設計を備えた高性能デバイスです。ほとんどの同期降圧コンバータのアプリケーションに適した優れた RDSON とゲート電荷を提供します。さらに、RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能と信頼性に対する 100% EAS 保証が付いています。

    特徴

    高セル密度、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、環境に優しいデバイス オプションを備えた高度なトレンチ テクノロジー。

    アプリケーション

    高周波ポイントオブロード同期バックコンバータ、ネットワーキングDC-DC電源システム、ロードスイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、非常用電源、ドローン、ヘルスケア、車載充電器、コントローラー、デジタル機器、小型家電、そして家庭用電化製品。

    対応材質番号

    AOS AOD603A、

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    Nチャンネル Pチャンネル
    VDS ドレイン・ソース間電圧 60 -60 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±20 ±20 V
    ID@TC=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 20 -15 A
    ID@TC=70℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 15 -10 A
    IDM パルスドレイン電流2 46 -36 A
    EAS シングルパルスアバランシェエネルギー3 200 180 mJ
    IAS なだれ電流 59 -50 A
    PD@TC=25℃ 総消費電力4 34.7 34.7 W
    TSTG 保存温度範囲 -55~150 -55~150
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 -55~150 -55~150
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250uA 60 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=1mA --- 0.063 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、ID=8A --- 28 37
    VGS=4.5V、ID=5A --- 37 45
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=250uA 1 --- 2.5 V
    △VGS(th) VGS(th) 温度係数 --- -5.24 --- mV/℃
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=48V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=48V、VGS=0V、TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    ガールフレンド 順方向相互コンダクタンス VDS=5V、ID=8A --- 21 --- S
    Rg ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 3.0 4.5 Ω
    Qg 総ゲート電荷 (4.5V) VDS=48V、VGS=4.5V、ID=8A --- 12.6 20 nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 3.5 ---
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 6.3 ---
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=30V、VGS=4.5V、

    RG=3.3Ω、ID=1A

    --- 8 --- ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 14.2 ---
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 24.6 ---
    Tf フォールタイム --- 4.6 ---
    シス 入力容量 VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz --- 670 --- pF
    コス 出力容量 --- 70 ---
    クロス 逆伝達容量 --- 35 ---

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