WSF70P02 P チャネル -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

製品

WSF70P02 P チャネル -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WSF70P02
  • BVDSS:-20V
  • RDソン:6.8mΩ
  • ID:-70A
  • チャネル:Pチャンネル
  • パッケージ:TO-252
  • 製品概要:WSF70P02 MOSFET は、電圧 -20V、電流 -70A、抵抗 6.8mΩ、P チャネル、TO-252 パッケージを備えています。
  • アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、電源バックアップ、ドローン、ヘルスケア、車の充電器、コントローラー、電子機器、電化製品、消費財。
  • 製品の詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WSF70P02 MOSFET は、高いセル密度を備えた最高性能の P チャネル トレンチ デバイスです。ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに対して優れた RDSON とゲート電荷を提供します。このデバイスは RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、100% EAS が保証されており、完全な機能の信頼性が承認されています。

    特徴

    高セル密度、超低ゲート電荷、CdV/dt 効果の優れた低減、100% EAS 保証、および環境に優しいデバイスのオプションを備えた高度なトレンチ テクノロジー。

    アプリケーション

    高周波ポイントオブロード同期、MB/NB/UMPC/VGA用降圧コンバータ、ネットワーキングDC-DC電源システム、ロードスイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、非常用電源、ドローン、医療、車の充電器、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家電。

    対応材質番号

    AOS

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    10代 定常状態
    VDS ドレイン・ソース間電圧 -20 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±12 V
    ID@TC=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 -70 A
    ID@TC=100℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 -36 A
    IDM パルスドレイン電流2 -200 A
    EAS シングルパルスアバランシェエネルギー3 360 mJ
    IAS なだれ電流 -55.4 A
    PD@TC=25℃ 総消費電力4 80 W
    TSTG 保存温度範囲 -55~150
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 -55~150
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=-1mA --- -0.018 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=-4.5V、ID=-15A --- 6.8 9.0
           
        VGS=-2.5V、ID=-10A --- 8.2 11  
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=-250uA -0.4 -0.6 -1.2 V
               
    △VGS(th) VGS(th) 温度係数   --- 2.94 --- mV/℃
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±12V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    ガールフレンド 順方向相互コンダクタンス VDS=-5V、ID=-10A --- 45 --- S
    Qg 総ゲート電荷 (-4.5V) VDS=-15V、VGS=-4.5V、ID=-10A --- 63 --- nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 9.1 ---
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 13 ---
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=-10V、VGS=-4.5V、

    RG=3.3Ω、ID=-10A

    --- 16 --- ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 77 ---
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 195 ---
    Tf フォールタイム --- 186 ---
    シス 入力容量 VDS=-10V、VGS=0V、f=1MHz --- 5783 --- pF
    コス 出力容量 --- 520 ---
    クロス 逆伝達容量 --- 445 ---

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