WSF70P02 P チャネル -20V -70A TO-252 WINSOK MOSFET

簡単な説明:

モデル番号:WSF70P02

BVDSS:-20V

RDソン:6.8mΩ

ID:-70A

チャネル：Pチャンネル

パッケージ：TO-252

製品概要:WSF70P02 MOSFET は、電圧 -20V、電流 -70A、抵抗 6.8mΩ、P チャネル、TO-252 パッケージを備えています。

アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、電源バックアップ、ドローン、ヘルスケア、車の充電器、コントローラー、電子機器、電化製品、消費財。

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製品詳細

応用

製品タグ

概要

WSF70P02 MOSFET は、高いセル密度を備えた最高性能の P チャネルトレンチデバイスです。ほとんどの同期降圧コンバータアプリケーションに対して優れた RDSON とゲート電荷を提供します。このデバイスは RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、100% EAS が保証されており、完全な機能の信頼性が承認されています。

特徴

高セル密度、超低ゲート電荷、CdV/dt 効果の優れた低減、100% EAS 保証、および環境に優しいデバイスのオプションを備えた高度なトレンチテクノロジー。

アプリケーション

高周波ポイントオブロード同期、MB/NB/UMPC/VGA用降圧コンバータ、ネットワーキングDC-DC電源システム、ロードスイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、非常用電源、ドローン、医療、自動車充電器、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家電。

対応材質番号

AOS

重要なパラメータ

シンボル	パラメータ	評価		単位
		10代	定常状態
VDS	ドレイン・ソース間電圧	-20		V
VGS	ゲート・ソース間電圧	±12		V
ID@TC=25℃	連続ドレイン電流、VGS @ -10V1	-70		A
ID@TC=100℃	連続ドレイン電流、VGS @ -10V1	-36		A
IDM	パルスドレイン電流2	-200		A
EAS	シングルパルスアバランシェエネルギー3	360		mJ
IAS	なだれ電流	-55.4		A
PD@TC=25℃	総消費電力4	80		W
TSTG	保存温度範囲	-55～150		℃
TJ	動作ジャンクション温度範囲	-55～150		℃

シンボル	パラメータ	条件	分。	典型的。	最大。	ユニット
BVDSS	ドレイン・ソース間耐圧	VGS=0V、ID=-250uA	-20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS 温度係数	25℃基準、ID=-1mA	---	-0.018	---	V/℃
RDS(オン)	静的ドレイン・ソース間オン抵抗2	VGS=-4.5V、ID=-15A	---	6.8	9.0	mΩ
RDS(オン)	静的ドレイン・ソース間オン抵抗2					mΩ
		VGS=-2.5V、ID=-10A	---	8.2	11
VGS(th)	ゲートしきい値電圧	VGS=VDS、ID=-250uA	-0.4	-0.6	-1.2	V
		VGS=VDS、ID=-250uA
△VGS(th)	VGS(th) 温度係数		---	2.94	---	mV/℃
IDSS	ドレイン・ソース間漏れ電流	VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	ドレイン・ソース間漏れ電流					uA
		VDS=-20V 、VGS=0V 、TJ=55℃	---	---	5
IGSS	ゲート・ソース間漏れ電流	VGS=±12V、VDS=0V	---	---	±100	nA
ガールフレンド	順方向相互コンダクタンス	VDS=-5V、ID=-10A	---	45	---	S
Qg	総ゲート電荷 (-4.5V)	VDS=-15V、VGS=-4.5V、ID=-10A	---	63	---	nC
Qgs	ゲート・ソース間の電荷		---	9.1	---
Qgd	ゲート・ドレイン間の充電		---	13	---
Td(オン)	ターンオン遅延時間	VDD=-10V、VGS=-4.5V、 RG=3.3Ω、ID=-10A	---	16	---	ns
Tr	立ち上がり時間		---	77	---
Td(オフ)	ターンオフ遅延時間		---	195	---
Tf	フォールタイム		---	186	---
シス	入力容量	VDS=-10V、VGS=0V、f=1MHz	---	5783	---	pF
コス	出力容量		---	520	---
クロス	逆伝達容量		---	445	---