WSM320N04G N チャネル 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

簡単な説明:

モデル番号:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDソン:1.2mΩ

ID:320A

チャネル：Nチャンネル

パッケージ：トール-8L

製品概要:WSM320N04G MOSFET は、電圧 40V、電流 320A、抵抗 1.2mΩ、N チャネル、TOLL-8L パッケージを備えています。

アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電、ドローン、医療、自動車充電、コントローラー、デジタル製品、小型家電、家電。

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製品詳細

応用

製品タグ

概要

WSM320N04G は、トレンチ設計を採用し、非常に高いセル密度を備えた高性能 MOSFET です。優れた RDSON とゲート電荷を備えており、ほとんどの同期降圧コンバータアプリケーションに適しています。 WSM320N04G は RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、100% EAS および全機能の信頼性が保証されています。

特徴

高度な高セル密度トレンチ技術により、最適なパフォーマンスを実現するための低ゲート電荷も備えています。さらに、優れた CdV/dt 効果の低下、100% EAS 保証、および環境に優しいオプションを誇ります。

アプリケーション

高周波ポイントオブロード同期降圧コンバータ、ネットワーキング DC-DC 電源システム、電動工具アプリケーション、電子タバコ、ワイヤレス充電、ドローン、医療、自動車充電、コントローラー、デジタル製品、小型家電製品、家庭用電化製品。

重要なパラメータ

シンボル	パラメータ	評価	単位
VDS	ドレイン・ソース間電圧	40	V
VGS	ゲート・ソース間電圧	±20	V
ID@TC=25℃	連続ドレイン電流、VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	連続ドレイン電流、VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	パルスドレイン電流2	900	A
EAS	シングルパルスアバランシェエネルギー3	980	mJ
IAS	なだれ電流	70	A
PD@TC=25℃	総消費電力4	250	W
TSTG	保存温度範囲	-55 ～ 175	℃
TJ	動作ジャンクション温度範囲	-55 ～ 175	℃

シンボル	パラメータ	条件	分。	典型的。	最大。	ユニット
BVDSS	ドレイン・ソース間耐圧	VGS=0V、ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS 温度係数	25℃基準、ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(オン)	静的ドレイン・ソース間オン抵抗2	VGS=10V、ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(オン)	静的ドレイン・ソース間オン抵抗2	VGS=4.5V、ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	ゲートしきい値電圧	VGS=VDS、ID=250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS(th) 温度係数	VGS=VDS、ID=250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	ドレイン・ソース間漏れ電流	VDS=40V、VGS=0V、TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	ドレイン・ソース間漏れ電流	VDS=40V、VGS=0V、TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	ゲート・ソース間漏れ電流	VGS=±20V、VDS=0V	---	---	±100	nA
ガールフレンド	順方向相互コンダクタンス	VDS=5V、ID=50A	---	160	---	S
Rg	ゲート抵抗	VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	総ゲート電荷 (10V)	VDS=20V、VGS=10V、ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	ゲート・ソース間の電荷		---	43	---
Qgd	ゲート・ドレイン間の充電		---	83	---
Td(オン)	ターンオン遅延時間	VDD=20V、VGEN=4.5V、RG=2.7Ω、ID=1A。	---	30	---	ns
Tr	立ち上がり時間		---	115	---
Td(オフ)	ターンオフ遅延時間		---	95	---
Tf	フォールタイム		---	80	---
シス	入力容量	VDS=20V、VGS=0V、f=1MHz	---	8100	---	pF
コス	出力容量		---	1200	---
クロス	逆伝達容量		---	800	---