WSM340N10G N チャネル 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET
概要
WSM340N10G は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSM340N10G は、RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認された 100% EAS 保証されています。
特徴
高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能。
アプリケーション
同期整流、DC/DCコンバータ、ロードスイッチ、医療機器、ドローン、PD電源、LED電源、産業機器など
重要なパラメータ
絶対最大定格
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 100 | V |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V | 340 | A |
| ID@TC=100℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V | 230 | A |
| IDM | パルスドレイン電流..TC=25°C | 1150 | A |
| EAS | アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH | 1800 | mJ |
| IAS | アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH | 120 | A |
| PD@TC=25℃ | 総消費電力 | 375 | W |
| PD@TC=100℃ | 総消費電力 | 187 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55 ～ 175 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | 175 | ℃ |
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25℃)
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250uA | 100 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗 | VGS=10V、ID=50A | --- | 1.6 | 2.3 | mΩ |
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) 温度係数 | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=85V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=85V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±25V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1.0 | --- | Ω |
| Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=50V、VGS=10V、ID=50A | --- | 260 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 80 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 60 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=50V、VGS=10V、RG=1Ω、RL=1Ω、IDS=1A。 | --- | 88 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 50 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 228 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 322 | --- | ||
| シス | 入力容量 | VDS=40V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 13900 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 6160 | --- | ||
| クロス | 逆伝達容量 | --- | 220 | --- |
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