WSP4016 N チャネル 40V 15.5A SOP-8 WINSOK MOSFET
概要
WSP4016 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N-ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート充電を提供します。 WSP4016 は RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認された 100% EAS 保証されています。
特徴
高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能。
アプリケーション
白色LED昇圧コンバータ、車載システム、産業用DC/DC変換回路、車載エレクトロニクス、LED照明、オーディオ、デジタル製品、小型家電、家電、保護基板など
対応材質番号
AO AOSP66406、ON FDS8842NZ、VISHAY Si4840BDY、PANJIT PJL9420、Sinopower SM4037NHK、NIKO PV608BA、
ディンテック DTM5420。
重要なパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 40 | V |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 15.5 | A |
| ID@TC=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 8.4 | A |
| IDM | パルスドレイン電流2 | 30 | A |
| PD@TA=25℃ | 総許容損失 TA=25°C | 2.08 | W |
| PD@TA=70℃ | 総許容損失 TA=70°C | 1.3 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55～150 | ℃ |
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25 ℃)
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250uA | 40 | --- | --- | V |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、ID=7A | --- | 8.5 | 11.5 | mΩ |
| VGS=4.5V、ID=5A | --- | 11 | 14.5 | |||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=32V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=32V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 25 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、ID=15A | --- | 31 | --- | S |
| Qg | 総ゲート電荷 (4.5V) | VDS=20V、VGS=10V、ID=7A | --- | 20 | 30 | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 3.9 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 3 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=20V、VGEN=10V、RG=1Ω、ID=1A、RL=20Ω。 | --- | 12.6 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 10 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 23.6 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 6 | --- | ||
| シス | 入力容量 | VDS=20V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1125 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 132 | --- | ||
| クロス | 逆伝達容量 | --- | 70 | --- |
注記 ：
1.パルステスト：PW<= 300us デューティサイクル<= 2%。
2.設計によって保証されており、製造テストの対象ではありません。
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