WSP4088 N チャンネル 40V 11A SOP-8 WINSOK MOSFET
概要
WSP4088 は、非常に高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N チャネル MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。WSP4088 は RoHS およびグリーン製品要件に準拠し、100% EAS 保証、全機能の信頼性が承認されています。
特徴
信頼性と堅牢性、鉛フリーおよびグリーンデバイスが利用可能
アプリケーション
デスクトップコンピュータまたはDC/DCコンバータの電源管理、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、ドローン、医療、自動車充電、コントローラー、デジタル製品、小型家電製品、家電製品など
対応材質番号
AO AO4884 AO4882、ON FDS4672A、PANJIT PJL9424、DINTEK DTM4916など。
重要なパラメータ
絶対最大定格 (特に指定のない限り、TA = 25℃)
| シンボル | パラメータ | 評価 | ユニット | |
| 共通の評価 | ||||
| VDSS | ドレイン・ソース間電圧 | 40 | V | |
| VGSS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | ||
| TJ | 最大接合部温度 | 150 | ℃ | |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ||
| IS | ダイオード連続順電流 | TA=25℃ | 2 | A |
| ID | 連続ドレイン電流 | TA=25℃ | 11 | A |
| TA=70℃ | 8.4 | |||
| IDM | パルスドレイン電流 | TA=25℃ | 30 | |
| PD | 最大消費電力 | TA=25℃ | 2.08 | W |
| TA=70℃ | 1.3 | |||
| RqJA | 熱抵抗 - 接合部から周囲まで | 10ポンド | 30 | ℃/W |
| 定常状態 | 60 | |||
| RqJL | 熱抵抗 - 接合部からリードまで | 定常状態 | 20 | |
| IAS b | アバランシェ電流、シングルパルス | L=0.1mH | 23 | A |
| EAS b | アバランシェエネルギー、シングルパルス | L=0.1mH | 26 | mJ |
注:最大。電流はボンディングワイヤによって制限されます。
注b:UIS テスト済み、パルス幅は最大ジャンクション温度 150oC (初期温度 Tj=25oC) によって制限されます。
電気的特性 (特に指定のない限り、TA = 25 C)
| シンボル | パラメータ | 試験条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット | |
| 静特性 | |||||||
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、IDS=250mA | 40 | - | - | V | |
| IDSS | ゼロゲート電圧ドレイン電流 | VDS=32V、VGS=0V | - | - | 1 | mA | |
| TJ=85℃ | - | - | 30 | ||||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VDS=VGS、IDS=250mA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V | |
| IGSS | ゲートリーク電流 | VGS=±20V、VDS=0V | - | - | ±100 | nA | |
| RDS(ON)c | ドレイン・ソース間のオン状態抵抗 | VGS=10V、IDS=7A | - | 10.5 | 13 | mW | |
| TJ=125℃ | - | 15.75 | - | ||||
| VGS=4.5V、IDS=5A | - | 12 | 16 | ||||
| GF | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、IDS=15A | - | 31 | - | S | |
| ダイオードの特性 | |||||||
| VSD c | ダイオード順電圧 | ISD=10A、VGS=0V | - | 0.9 | 1.1 | V | |
| てら | 逆回復時間 | VDD=20V、ISD=10A、dlSD/dt=100A/ms | - | 15.2 | - | ns | |
| ta | 充電時間 | - | 9.4 | - | |||
| tb | 放電時間 | - | 5.8 | - | |||
| Qrr | 逆回復チャージ | - | 9.5 | - | nC | ||
| 動特性 d | |||||||
| RG | ゲート抵抗 | VGS=0V、VDS=0V、F=1MHz | 0.7 | 1.1 | 1.8 | W | |
| シス | 入力容量 | VGS=0V、VDS=20V、周波数=1.0MHz | - | 1125 | - | pF | |
| コス | 出力容量 | - | 132 | - | |||
| クロス | 逆伝達容量 | - | 70 | - | |||
| td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=20V、RL=20W、IDS=1A、VGEN=10V、RG=1W | - | 12.6 | - | ns | |
| tr | ターンオン立ち上がり時間 | - | 10 | - | |||
| td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | - | 23.6 | - | |||
| tf | ターンオフ立ち下がり時間 | - | 6 | - | |||
| ゲートチャージ特性 d | |||||||
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=20V、VGS=4.5V、IDS=7A | - | 9.4 | - | nC | |
| Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=20V、VGS=10V、IDS=7A | - | 20 | 28 | ||
| Qgth | 閾値ゲート電荷 | - | 2 | - | |||
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | - | 3.9 | - | |||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | - | 3 | - | |||
注c:
パルステスト;パルス幅 300ms、デューティ サイクル 2%。
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