WSP4447 P チャネル -40V -11A SOP-8 WINSOK MOSFET
概要
WSP4447 は、トレンチ技術を利用し、高いセル密度を備えた最高性能の MOSFET です。優れた RDSON とゲート電荷を提供するため、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションでの使用に適しています。 WSP4447 は RoHS およびグリーン製品基準を満たしており、完全な信頼性を実現する 100% EAS 保証が付いています。
特徴
高度なトレンチ技術により、より高いセル密度が可能になり、その結果、超低ゲート電荷と優れた CdV/dt 効果低下を備えたグリーン デバイスが実現します。
アプリケーション
各種電子機器用高周波コンバータ
このコンバータは、ラップトップ、ゲーム機、ネットワーク機器、電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、ドローン、医療機器、車の充電器、コントローラー、デジタル製品、小型家電、消費者向けなど、幅広いデバイスに効率的に電力を供給するように設計されています。エレクトロニクス。
対応材質番号
AOS AO4425 AO4485、ON FDS4675、VISHAY Si4401FDY、ST STS10P4LLF6、東芝 TPC8133、PANJIT PJL9421、Sinopower SM4403PSK、RUICHIPS RU40L10H。
重要なパラメータ
| シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
| VDS | ドレイン・ソース間電圧 | -40 | V |
| VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
| ID@TA=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 | -11 | A |
| ID@TA=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -10V1 | -9.0 | A |
| IDM | 300μsのパルスドレイン電流(VGS=-10V) | -44 | A |
| EAS b | アバランシェエネルギー、シングルパルス (L=0.1mH) | 54 | mJ |
| IAS b | アバランシェ電流、シングルパルス (L=0.1mH) | -33 | A |
| PD@TA=25℃ | 総消費電力4 | 2.0 | W |
| TSTG | 保存温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55～150 | ℃ |
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
| BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=-250uA | -40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=-1mA | --- | -0.018 | --- | V/℃ |
| RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=-10V、ID=-13A | --- | 13 | 16 | mΩ |
| VGS=-4.5V、ID=-5A | --- | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=-250uA | -1.4 | -1.9 | -2.4 | V |
| △VGS(th) | VGS(th) 温度係数 | --- | 5.04 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=-32V 、VGS=0V 、TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
| VDS=-32V 、VGS=0V 、TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
| IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=-5V、ID=-10A | --- | 18 | --- | S |
| Qg | 総ゲート電荷 (-4.5V) | VDS=-20V、VGS=-10V、ID=-11A | --- | 32 | --- | nC |
| Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 5.2 | --- | ||
| Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 8 | --- | ||
| Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=-20V、VGS=-10V、 RG=6Ω、ID=-1A、RL=20Ω | --- | 14 | --- | ns |
| Tr | 立ち上がり時間 | --- | 12 | --- | ||
| Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 41 | --- | ||
| Tf | フォールタイム | --- | 22 | --- | ||
| シス | 入力容量 | VDS=-15V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1500 | --- | pF |
| コス | 出力容量 | --- | 235 | --- | ||
| クロス | 逆伝達容量 | --- | 180 | --- |
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