WSP4888 デュアル N チャネル 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET
概要
WSP4888 は、高密度セル構造を備えた高性能トランジスタであり、同期降圧コンバータでの使用に最適です。優れた RDSON とゲート チャージを誇り、これらのアプリケーションにとって最適な選択肢となっています。さらに、WSP4888 は RoHS とグリーン製品の両方の要件を満たしており、信頼性の高い機能に対する 100% EAS 保証が付いています。
特徴
高度なトレンチ テクノロジーは、高いセル密度と超低いゲート電荷を特徴としており、CdV/dt 効果を大幅に低減します。当社のデバイスには 100% EAS 保証と環境に優しいオプションが付属しています。
当社の MOSFET は、最高の業界基準を確実に満たすために厳格な品質管理措置を講じています。各ユニットは性能、耐久性、信頼性について徹底的にテストされており、長い製品寿命を保証します。頑丈な設計により、過酷な作業条件に耐えることができ、中断のない機器の機能が保証されます。
競争力のある価格設定: 当社の MOSFET は、優れた品質にもかかわらず、価格競争力が高く、性能を損なうことなく大幅なコスト削減を実現します。当社は、すべての消費者が高品質の製品にアクセスできるべきであると信じており、当社の価格戦略はこのコミットメントを反映しています。
幅広い互換性: 当社の MOSFET はさまざまな電子システムと互換性があり、メーカーやエンドユーザーにとって多用途の選択肢となります。既存のシステムにシームレスに統合され、大幅な設計変更を必要とせずに全体的なパフォーマンスが向上します。
アプリケーション
MB/NB/UMPC/VGA システム、ネットワーキング DC-DC 電源システム、ロード スイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、ドローン、医療機器、車載充電器、コントローラーで使用する高周波ポイントオブロード同期降圧コンバータ、デジタル製品、小型家電、家庭用電化製品。
対応材質番号
AOS AO4832 AO4838 AO4914、ON NTMS4916N、VISHAY Si4128DY、INFINEON BSO150N03MD G、Sinopower SM4803DSK、dintek DTM4926 DTM4936、ruichips RU30D10H
重要なパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 30 | V |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 9.8 | A |
ID@TC=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 8.0 | A |
IDM | パルスドレイン電流2 | 45 | A |
EAS | シングルパルスアバランシェエネルギー3 | 25 | mJ |
IAS | なだれ電流 | 12 | A |
PD@TA=25℃ | 総消費電力4 | 2.0 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55~150 | ℃ |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55~150 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=1mA | --- | 0.034 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、ID=8.5A | --- | 13.5 | 18 | mΩ |
VGS=4.5V、ID=5A | --- | 18 | 25 | |||
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
△VGS(th) | VGS(th) 温度係数 | --- | -5.8 | --- | mV/℃ | |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=24V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=24V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±20V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、ID=8A | --- | 9 | --- | S |
Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1.8 | 2.9 | Ω |
Qg | 総ゲート電荷 (4.5V) | VDS=15V、VGS=4.5V、ID=8.8A | --- | 6 | 8.4 | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 1.5 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 2.5 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=15V、VGEN=10V、RG=6Ω ID=1A、RL=15Ω | --- | 7.5 | 9.8 | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 9.2 | 19 | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 19 | 34 | ||
Tf | フォールタイム | --- | 4.2 | 8 | ||
シス | 入力容量 | VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 590 | 701 | pF |
コス | 出力容量 | --- | 98 | 112 | ||
クロス | 逆伝達容量 | --- | 59 | 91 |