WSP4888 デュアル N チャネル 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

製品

WSP4888 デュアル N チャネル 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WSP4888
  • BVDSS:30V
  • RDソン:13.5mΩ
  • ID:9.8A
  • チャネル:デュアルNチャネル
  • パッケージ:SOP-8
  • 製品概要:WSP4888 MOSFETの電圧は30V、電流は9.8A、抵抗は13.5mΩ、チャネルはデュアルNチャネル、パッケージはSOP-8です。
  • アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、エンジン、ドローン、ヘルスケア、自動車充電器、制御装置、デジタル機器、小型家電、消費者向け電子機器。
  • 製品詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WSP4888 は、高密度セル構造を備えた高性能トランジスタであり、同期降圧コンバータでの使用に最適です。優れた RDSON とゲート チャージを誇り、これらのアプリケーションにとって最適な選択肢となっています。さらに、WSP4888 は RoHS とグリーン製品の両方の要件を満たしており、信頼性の高い機能に対する 100% EAS 保証が付いています。

    特徴

    高度なトレンチ テクノロジーは、高いセル密度と超低いゲート電荷を特徴としており、CdV/dt 効果を大幅に低減します。当社のデバイスには 100% EAS 保証と環境に優しいオプションが付属しています。

    当社の MOSFET は、最高の業界基準を確実に満たすために厳格な品質管理措置を講じています。各ユニットは性能、耐久性、信頼性について徹底的にテストされており、長い製品寿命を保証します。頑丈な設計により、過酷な作業条件に耐えることができ、中断のない機器の機能が保証されます。

    競争力のある価格設定: 当社の MOSFET は、優れた品質にもかかわらず、価格競争力が高く、性能を損なうことなく大幅なコスト削減を実現します。当社は、すべての消費者が高品質の製品にアクセスできるべきであると信じており、当社の価格戦略はこのコミットメントを反映しています。

    幅広い互換性: 当社の MOSFET はさまざまな電子システムと互換性があり、メーカーやエンドユーザーにとって多用途の選択肢となります。既存のシステムにシームレスに統合され、大幅な設計変更を必要とせずに全体的なパフォーマンスが向上します。

    アプリケーション

    MB/NB/UMPC/VGA システム、ネットワーキング DC-DC 電源システム、ロード スイッチ、電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、ドローン、医療機器、車載充電器、コントローラーで使用する高周波ポイントオブロード同期降圧コンバータ、デジタル製品、小型家電、家庭用電化製品。

    対応材質番号

    AOS AO4832 AO4838 AO4914、ON NTMS4916N、VISHAY Si4128DY、INFINEON BSO150N03MD G、Sinopower SM4803DSK、dintek DTM4926 DTM4936、ruichips RU30D10H

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    VDS ドレイン・ソース間電圧 30 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±20 V
    ID@TC=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 9.8 A
    ID@TC=70℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 8.0 A
    IDM パルスドレイン電流2 45 A
    EAS シングルパルスアバランシェエネルギー3 25 mJ
    IAS なだれ電流 12 A
    PD@TA=25℃ 総消費電力4 2.0 W
    TSTG 保存温度範囲 -55~150
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 -55~150
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250uA 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=1mA --- 0.034 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、ID=8.5A --- 13.5 18
           
        VGS=4.5V、ID=5A --- 18 25  
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=250uA 1.5 1.8 2.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) 温度係数   --- -5.8 --- mV/℃
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=24V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
           
        VDS=24V、VGS=0V、TJ=55℃ --- --- 5  
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±20V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    ガールフレンド 順方向相互コンダクタンス VDS=5V、ID=8A --- 9 --- S
    Rg ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 1.8 2.9 Ω
    Qg 総ゲート電荷 (4.5V) VDS=15V、VGS=4.5V、ID=8.8A --- 6 8.4 nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 1.5 ---
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 2.5 ---
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=15V、VGEN=10V、RG=6Ω

    ID=1A、RL=15Ω

    --- 7.5 9.8 ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 9.2 19
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 19 34
    Tf フォールタイム --- 4.2 8
    シス 入力容量 VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz --- 590 701 pF
    コス 出力容量 --- 98 112
    クロス 逆伝達容量 --- 59 91

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