WSR200N08 N チャネル 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

製品

WSR200N08 N チャネル 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WSR200N08
  • BVDSS:80V
  • RDソン:2.9mΩ
  • ID:200A
  • チャネル:Nチャンネル
  • パッケージ:TO-220-3L
  • 製品概要:WSR200N08 MOSFET は、2.9 ミリオームの抵抗で最大 80 ボルトおよび 200 アンペアを処理できます。これは N チャネル デバイスで、TO-220-3L パッケージで提供されます。
  • アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、バッテリー管理システム、バックアップ電源、無人航空機、ヘルスケア機器、電気自動車充電装置、制御ユニット、3D 印刷機、電子機器、小型家電製品、家庭用電化製品。
  • 製品詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WSR200N08 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSR200N08 は RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認された 100% EAS 保証されています。

    特徴

    高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能。

    アプリケーション

    スイッチングアプリケーション、インバータシステムの電源管理、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、BMS、非常用電源、ドローン、医療、自動車充電、コントローラー、3Dプリンター、デジタル製品、小型家電、家電など

    対応材質番号

    AO AOT480L、ON FDP032N08B、ST STP130N8F7 STP140N8F7、東芝 TK72A08N1 TK72E08N1 など

    重要なパラメータ

    電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25℃)

    シンボル パラメータ 評価 単位
    VDS ドレイン・ソース間電圧 80 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±25 V
    ID@TC=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 200 A
    ID@TC=100℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 144 A
    IDM パルスドレイン電流2、TC=25°C 790 A
    EAS アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH 1496年 mJ
    IAS アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH 200 A
    PD@TC=25℃ 総消費電力4 345 W
    PD@TC=100℃ 総消費電力4 173 W
    TSTG 保存温度範囲 -55 ~ 175
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 175
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250uA 80 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=1mA --- 0.096 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=10V、ID=100A --- 2.9 3.5
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=250uA 2.0 3.0 4.0 V
    △VGS(th) VGS(th) 温度係数 --- -5.5 --- mV/℃
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=80V、VGS=0V、TJ=55℃ --- --- 10
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±25V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    Rg ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 3.2 --- Ω
    Qg 総ゲート電荷 (10V) VDS=80V、VGS=10V、ID=30A --- 197 --- nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 31 ---
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 75 ---
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=50V、VGS=10V、RG=3Ω、ID=30A --- 28 --- ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 18 ---
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 42 ---
    Tf フォールタイム --- 54 ---
    シス 入力容量 VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz --- 8154 --- pF
    コス 出力容量 --- 1029 ---
    クロス 逆伝達容量 --- 650 ---

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