WSR200N08 N チャネル 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET
概要
WSR200N08 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータ アプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 WSR200N08 は RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が承認された 100% EAS 保証されています。
特徴
高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーン デバイスが利用可能。
アプリケーション
スイッチングアプリケーション、インバータシステムの電源管理、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、BMS、非常用電源、ドローン、医療、自動車充電、コントローラー、3Dプリンター、デジタル製品、小型家電、家電など
対応材質番号
AO AOT480L、ON FDP032N08B、ST STP130N8F7 STP140N8F7、東芝 TK72A08N1 TK72E08N1 など
重要なパラメータ
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25℃)
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 80 | V |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±25 | V |
ID@TC=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 200 | A |
ID@TC=100℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 10V1 | 144 | A |
IDM | パルスドレイン電流2、TC=25°C | 790 | A |
EAS | アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH | 1496年 | mJ |
IAS | アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH | 200 | A |
PD@TC=25℃ | 総消費電力4 | 345 | W |
PD@TC=100℃ | 総消費電力4 | 173 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55 ~ 175 | ℃ |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | 175 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250uA | 80 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=1mA | --- | 0.096 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=10V、ID=100A | --- | 2.9 | 3.5 | mΩ |
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
△VGS(th) | VGS(th) 温度係数 | --- | -5.5 | --- | mV/℃ | |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=80V、VGS=0V、TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±25V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 3.2 | --- | Ω |
Qg | 総ゲート電荷 (10V) | VDS=80V、VGS=10V、ID=30A | --- | 197 | --- | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 31 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 75 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=50V、VGS=10V、RG=3Ω、ID=30A | --- | 28 | --- | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 18 | --- | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 42 | --- | ||
Tf | フォールタイム | --- | 54 | --- | ||
シス | 入力容量 | VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 8154 | --- | pF |
コス | 出力容量 | --- | 1029 | --- | ||
クロス | 逆伝達容量 | --- | 650 | --- |
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