WSR200N08 N チャネル 80V 200A TO-220-3L WINSOK MOSFET

簡単な説明：

モデル番号：WSR200N08

BVDSS:80V

RDソン:2.9mΩ

ID:200A

チャネル：Nチャンネル

パッケージ：TO-220-3L

製品概要:WSR200N08 MOSFET は、2.9 ミリオームの抵抗で最大 80 ボルトおよび 200 アンペアを処理できます。これは N チャネルデバイスで、TO-220-3L パッケージで提供されます。

アプリケーション:電子タバコ、ワイヤレス充電器、モーター、バッテリー管理システム、バックアップ電源、無人航空機、ヘルスケア機器、電気自動車充電装置、制御ユニット、3D 印刷機、電子機器、小型家電製品、家庭用電化製品。

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製品の詳細

応用

製品タグ

概要

WSR200N08 は、極めて高いセル密度を備えた最高性能のトレンチ N-Ch MOSFET で、ほとんどの同期降圧コンバータアプリケーションに優れた RDSON とゲート電荷を提供します。WSR200N08 は、RoHS およびグリーン製品要件を満たし、完全な機能の信頼性が承認された 100% EAS 保証です。

特徴

高度な高セル密度トレンチ技術、超低ゲート電荷、優れた CdV/dt 効果低下、100% EAS 保証、グリーンデバイスが利用可能。

アプリケーション

スイッチングアプリケーション、インバータシステムの電源管理、電子タバコ、ワイヤレス充電、モーター、BMS、非常用電源、ドローン、医療、自動車充電、コントローラー、3Dプリンター、デジタル製品、小型家電、家電など

対応材質番号

AO AOT480L、ON FDP032N08B、ST STP130N8F7 STP140N8F7、東芝 TK72A08N1 TK72E08N1 など

重要なパラメータ

電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25℃)

シンボル	パラメータ	評価	単位
VDS	ドレイン・ソース間電圧	80	V
VGS	ゲート・ソース間電圧	±25	V
ID@TC=25℃	連続ドレイン電流、VGS @ 10V1	200	A
ID@TC=100℃	連続ドレイン電流、VGS @ 10V1	144	A
IDM	パルスドレイン電流2、TC=25°C	790	A
EAS	アバランシェエネルギー、シングルパルス、L=0.5mH	1496年	mJ
IAS	アバランシェ電流、シングルパルス、L=0.5mH	200	A
PD@TC=25℃	総消費電力4	345	W
PD@TC=100℃	総消費電力4	173	W
TSTG	保存温度範囲	-55 ～ 175	℃
TJ	動作ジャンクション温度範囲	175	℃

シンボル	パラメータ	条件	分。	典型的。	最大。	ユニット
BVDSS	ドレイン・ソース間耐圧	VGS=0V、ID=250uA	80	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS 温度係数	25℃基準、ID=1mA	---	0.096	---	V/℃
RDS(オン)	静的ドレイン・ソース間オン抵抗2	VGS=10V、ID=100A	---	2.9	3.5	mΩ
VGS(th)	ゲートしきい値電圧	VGS=VDS、ID=250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(th)	VGS(th) 温度係数	VGS=VDS、ID=250uA	---	-5.5	---	mV/℃
IDSS	ドレイン・ソース間漏れ電流	VDS=80V、VGS=0V、TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	ドレイン・ソース間漏れ電流	VDS=80V、VGS=0V、TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	ゲート・ソース間漏れ電流	VGS=±25V、VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	ゲート抵抗	VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz	---	3.2	---	Ω
Qg	総ゲート電荷 (10V)	VDS=80V、VGS=10V、ID=30A	---	197	---	nC
Qgs	ゲート・ソース間の電荷		---	31	---
Qgd	ゲート・ドレイン間の充電		---	75	---
Td(オン)	ターンオン遅延時間	VDD=50V、VGS=10V、RG=3Ω、ID=30A	---	28	---	ns
Tr	立ち上がり時間		---	18	---
Td(オフ)	ターンオフ遅延時間		---	42	---
Tf	フォールタイム		---	54	---
シス	入力容量	VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz	---	8154	---	pF
コス	出力容量		---	1029	---
クロス	逆伝達容量		---	650	---