WST2011 デュアル P チャネル -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
概要
WST2011 MOSFET は、入手可能な中で最も先進的な P-ch トランジスタであり、比類のないセル密度を備えています。これらは、RDSON とゲート電荷が低く、優れた性能を提供するため、小電力スイッチングおよび負荷スイッチのアプリケーションに最適です。さらに、WST2011 は RoHS およびグリーン製品基準を満たしており、全機能の信頼性の承認を誇っています。
特徴
高度なトレンチ技術により、より高いセル密度が可能になり、その結果、超低ゲート電荷と優れた CdV/dt 効果低下を備えたグリーン デバイスが実現します。
アプリケーション
高周波ポイントオブロード同期小電力スイッチングは、MB/NB/UMPC/VGA、ネットワーキング DC-DC 電源システム、負荷スイッチ、電子タバコ、コントローラー、デジタル製品、小型家電製品、家庭用電化製品での使用に適しています。 。
対応材質番号
FDC634P、VISHAY Si3443DDV、NXP PMDT670UPE、
重要なパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 | |
10代 | 定常状態 | |||
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | -20 | V | |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±12 | V | |
ID@TA=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -4.5V1 | -3.6 | -3.2 | A |
ID@TA=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ -4.5V1 | -2.6 | -2.4 | A |
IDM | パルスドレイン電流2 | -12 | A | |
PD@TA=25℃ | 総電力損失3 | 1.7 | 1.4 | W |
PD@TA=70℃ | 総電力損失3 | 1.2 | 0.9 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55~150 | ℃ | |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55~150 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=-250uA | -20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=-1mA | --- | -0.011 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=-4.5V、ID=-2A | --- | 80 | 85 | mΩ |
VGS=-2.5V、ID=-1A | --- | 95 | 115 | |||
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=-250uA | -0.5 | -1.0 | -1.5 | V |
△VGS(th) | VGS(th) 温度係数 | --- | 3.95 | --- | mV/℃ | |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=-16V 、VGS=0V 、TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-16V 、VGS=0V 、TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±12V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=-5V、ID=-2A | --- | 8.5 | --- | S |
Qg | 総ゲート電荷 (-4.5V) | VDS=-15V、VGS=-4.5V、ID=-2A | --- | 3.3 | 11.3 | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 1.1 | 1.7 | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 1.1 | 2.9 | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=-15V、VGS=-4.5V、 RG=3.3Ω、ID=-2A | --- | 7.2 | --- | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 9.3 | --- | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 15.4 | --- | ||
Tf | フォールタイム | --- | 3.6 | --- | ||
シス | 入力容量 | VDS=-15V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 750 | --- | pF |
コス | 出力容量 | --- | 95 | --- | ||
クロス | 逆伝達容量 | --- | 68 | --- |
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