WST2011 デュアル P チャネル -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

製品

WST2011 デュアル P チャネル -20V -3.2A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

簡単な説明:


  • モデル番号:WST2011
  • BVDSS:-20V
  • RDソン:80mΩ
  • ID:-3.2A
  • チャネル:デュアル P チャネル
  • パッケージ:SOT-23-6L
  • 製品概要:WST2011 MOSFETの電圧は-20V、電流は-3.2A、抵抗は80mΩ、チャネルはデュアルPチャネル、パッケージはSOT-23-6Lです。
  • アプリケーション:電子タバコ、コントローラー、デジタル製品、小型家電、ホームエンターテイメント。
  • 製品の詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WST2011 MOSFET は、入手可能な中で最も先進的な P-ch トランジスタであり、比類のないセル密度を備えています。これらは、RDSON とゲート電荷が低く、優れた性能を提供するため、小電力スイッチングおよび負荷スイッチのアプリケーションに最適です。さらに、WST2011 は RoHS およびグリーン製品基準を満たしており、全機能の信頼性の承認を誇っています。

    特徴

    高度なトレンチ技術により、より高いセル密度が可能になり、その結果、超低ゲート電荷と優れた CdV/dt 効果低下を備えたグリーン デバイスが実現します。

    アプリケーション

    高周波ポイントオブロード同期小電力スイッチングは、MB/NB/UMPC/VGA、ネットワーキング DC-DC 電源システム、負荷スイッチ、電子タバコ、コントローラー、デジタル製品、小型家電製品、家庭用電化製品での使用に適しています。 。

    対応材質番号

    FDC634P、VISHAY Si3443DDV、NXP PMDT670UPE、

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    10代 定常状態
    VDS ドレイン・ソース間電圧 -20 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±12 V
    ID@TA=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -4.5V1 -3.6 -3.2 A
    ID@TA=70℃ 連続ドレイン電流、VGS @ -4.5V1 -2.6 -2.4 A
    IDM パルスドレイン電流2 -12 A
    PD@TA=25℃ 総電力損失3 1.7 1.4 W
    PD@TA=70℃ 総電力損失3 1.2 0.9 W
    TSTG 保存温度範囲 -55~150
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 -55~150
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=-250uA -20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=-1mA --- -0.011 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=-4.5V、ID=-2A --- 80 85
           
        VGS=-2.5V、ID=-1A --- 95 115  
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=-250uA -0.5 -1.0 -1.5 V
               
    △VGS(th) VGS(th) 温度係数   --- 3.95 --- mV/℃
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=-16V 、VGS=0V 、TJ=25℃ --- --- -1 uA
           
        VDS=-16V 、VGS=0V 、TJ=55℃ --- --- -5  
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±12V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    ガールフレンド 順方向相互コンダクタンス VDS=-5V、ID=-2A --- 8.5 --- S
    Qg 総ゲート電荷 (-4.5V) VDS=-15V、VGS=-4.5V、ID=-2A --- 3.3 11.3 nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 1.1 1.7
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 1.1 2.9
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=-15V、VGS=-4.5V、

    RG=3.3Ω、ID=-2A

    --- 7.2 --- ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 9.3 ---
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 15.4 ---
    Tf フォールタイム --- 3.6 ---
    シス 入力容量 VDS=-15V、VGS=0V、f=1MHz --- 750 --- pF
    コス 出力容量 --- 95 ---
    クロス 逆伝達容量 --- 68 ---

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