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WST2078 N&P チャンネル 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

製品

WST2078 N&P チャンネル 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

WST2078 N&P チャンネル 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET 注目の画像
  • WST2078 N&P チャンネル 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

簡単な説明：


  • モデル番号：WST2078
  • BVDSS:20V/-20V
  • RDソン:45mΩ/65mΩ
  • ID:3.8A/-4.5A
  • チャネル：N&Pチャンネル
  • パッケージ：SOT-23-6L
  • 製品概要:WST2078 MOSFET の電圧定格は 20V および -20V です。3.8Aと-4.5Aの電流に対応でき、抵抗値は45mΩと65mΩです。MOSFET は N&P チャネル機能の両方を備えており、SOT-23-6L パッケージで提供されます。
  • アプリケーション:電子タバコ、コントローラー、デジタル製品、電化製品、家庭用電化製品。
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    製品の詳細

    応用

    製品タグ

    概要

    WST2078 は、小型パワー スイッチおよび負荷アプリケーションに最適な MOSFET です。セル密度が高く、優れた RDSON とゲート電荷を提供します。RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が認められています。

    特徴

    高セル密度のトレンチ、極めて低いゲート電荷、および Cdv/dt 効果の優れた低減を備えた高度なテクノロジー。この装置は環境にも優しいです。

    アプリケーション

    高周波ポイントオブロード同期小電力スイッチングは、MB/NB/UMPC/VGA、ネットワーキング DC-DC 電源システム、負荷スイッチ、電子タバコ、コントローラー、デジタル製品、小型家電製品、民生機器での使用に最適です。エレクトロニクス。

    対応材質番号

    AOS AO6604 AO6608、VISHAY Si3585CDV、PANJIT PJS6601。

    重要なパラメータ

    シンボル パラメータ 評価 単位
    Nチャンネル Pチャンネル
    VDS ドレイン・ソース間電圧 20 -20 V
    VGS ゲート・ソース間電圧 ±12 ±12 V
    ID@Tc=25℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 4.5V1 3.8 -4.5 A
    ID@Tc=70℃ 連続ドレイン電流、VGS @ 4.5V1 2.8 -2.6 A
    IDM パルスドレイン電流2 20 -13 A
    PD@TA=25℃ 総電力損失3 1.4 1.4 W
    TSTG 保存温度範囲 -55～150 -55～150 ℃
    TJ 動作ジャンクション温度範囲 -55～150 -55～150 ℃
    シンボル パラメータ 条件 分。 典型的。 最大。 ユニット
    BVDSS ドレイン・ソース間耐圧 VGS=0V、ID=250uA 20 --- --- V
    △BVDSS/△TJ BVDSS 温度係数 25℃基準、ID=1mA --- 0.024 --- V/℃
    RDS(オン) 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 VGS=4.5V、ID=3A --- 45 55 mΩ
    VGS=2.5V、ID=1A --- 60 80
    VGS=1.8V、ID=1A --- 85 120
    VGS(th) ゲートしきい値電圧 VGS=VDS、ID=250uA 0.5 0.7 1 V
    △VGS(th) VGS(th) 温度係数 --- -2.51 --- mV/℃
    IDSS ドレイン・ソース間漏れ電流 VDS=16V、VGS=0V、TJ=25℃ --- --- 1 uA
    VDS=16V 、VGS=0V 、TJ=55℃ --- --- 5
    IGSS ゲート・ソース間漏れ電流 VGS=±8V、VDS=0V --- --- ±100 nA
    ガールフレンド 順方向相互コンダクタンス VDS=5V、ID=1A --- 8 --- S
    Rg ゲート抵抗 VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz --- 2.5 3.5 Ω
    Qg 総ゲート電荷 (4.5V) VDS=10V、VGS=10V、ID=3A --- 7.8 --- nC
    Qgs ゲート・ソース間の電荷 --- 1.5 ---
    Qgd ゲート・ドレイン間の充電 --- 2.1 ---
    Td(オン) ターンオン遅延時間 VDD=10V、VGEN=4.5V、RG=6Ω

    ID=3A RL=10Ω

    		 --- 2.4 4.3 ns
    Tr 立ち上がり時間 --- 13 23
    Td(オフ) ターンオフ遅延時間 --- 15 28
    Tf フォールタイム --- 3 5.5
    シス 入力容量 VDS=10V、VGS=0V、f=1MHz --- 450 --- pF
    コス 出力容量 --- 51 ---
    クロス 逆伝達容量 --- 52 ---
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