WST2078 N&P チャンネル 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET
概要
WST2078 は、小型パワー スイッチおよび負荷アプリケーションに最適な MOSFET です。セル密度が高く、優れた RDSON とゲート電荷を提供します。 RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、完全な機能の信頼性が認められています。
特徴
高セル密度トレンチ、極めて低いゲート電荷、および Cdv/dt 効果の優れた低減を備えた高度なテクノロジー。この装置は環境にも優しいです。
アプリケーション
高周波ポイントオブロード同期小電力スイッチングは、MB/NB/UMPC/VGA、ネットワーキング DC-DC 電源システム、ロード スイッチ、電子タバコ、コントローラー、デジタル製品、小型家電製品、民生機器での使用に最適です。エレクトロニクス。
対応材質番号
AOS AO6604 AO6608、VISHAY Si3585CDV、PANJIT PJS6601。
重要なパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 | |
Nチャンネル | Pチャンネル | |||
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 20 | -20 | V |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±12 | ±12 | V |
ID@Tc=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 4.5V1 | 3.8 | -4.5 | A |
ID@Tc=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 4.5V1 | 2.8 | -2.6 | A |
IDM | パルスドレイン電流2 | 20 | -13 | A |
PD@TA=25℃ | 総電力損失3 | 1.4 | 1.4 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=1mA | --- | 0.024 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=4.5V、ID=3A | --- | 45 | 55 | mΩ |
VGS=2.5V、ID=1A | --- | 60 | 80 | |||
VGS=1.8V、ID=1A | --- | 85 | 120 | |||
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=250uA | 0.5 | 0.7 | 1 | V |
△VGS(th) | VGS(th) 温度係数 | --- | -2.51 | --- | mV/℃ | |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=16V、VGS=0V、TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=16V 、VGS=0V 、TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±8V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
ガールフレンド | 順方向相互コンダクタンス | VDS=5V、ID=1A | --- | 8 | --- | S |
Rg | ゲート抵抗 | VDS=0V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 2.5 | 3.5 | Ω |
Qg | 総ゲート電荷 (4.5V) | VDS=10V、VGS=10V、ID=3A | --- | 7.8 | --- | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 1.5 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 2.1 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDD=10V、VGEN=4.5V、RG=6Ω ID=3A RL=10Ω | --- | 2.4 | 4.3 | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 13 | 23 | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 15 | 28 | ||
Tf | フォールタイム | --- | 3 | 5.5 | ||
シス | 入力容量 | VDS=10V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 450 | --- | pF |
コス | 出力容量 | --- | 51 | --- | ||
クロス | 逆伝達容量 | --- | 52 | --- |
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