WST2088 N チャンネル 20V 8.8A SOT-23-3L WINSOK MOSFET
概要
WST2088 MOSFET は、市場で最も先進的な N チャネル トランジスタです。セル密度が非常に高いため、優れた RDSON とゲート電荷が得られます。これらの MOSFET は、小電力スイッチングおよび負荷スイッチのアプリケーションに最適です。これらは RoHS およびグリーン製品要件を満たしており、信頼性について完全にテストされています。
特徴
高セル密度、超低ゲート電荷、優れた Cdv/dt 効果低下を備えた高度なトレンチ テクノロジーにより、グリーン デバイスとなります。
アプリケーション
電源アプリケーション、ハード スイッチングおよび高周波を備えた回路、無停電電源装置、電子タバコ、コントローラー、電子機器、小型家電製品、家庭用電化製品。
対応材質番号
AO AO3416、DINTEK DTS2300A DTS2318 DTS2314 DTS2316 DTS2322 DTS3214 など
重要なパラメータ
シンボル | パラメータ | 評価 | 単位 |
VDS | ドレイン・ソース間電圧 | 20 | V |
VGS | ゲート・ソース間電圧 | ±12 | V |
ID@Tc=25℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 4.5V | 8.8 | A |
ID@Tc=70℃ | 連続ドレイン電流、VGS @ 4.5V | 6.2 | A |
IDP | パルスドレイン電流 | 40 | A |
PD@TA=25℃ | 総消費電力 | 1.5 | W |
TSTG | 保存温度範囲 | -55~150 | ℃ |
TJ | 動作ジャンクション温度範囲 | -55~150 | ℃ |
電気的特性 (特に指定のない限り、TJ=25 ℃)
シンボル | パラメータ | 条件 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | ユニット |
BVDSS | ドレイン・ソース間耐圧 | VGS=0V、ID=250uA | 20 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS 温度係数 | 25℃基準、ID=1mA | --- | 0.018 | --- | V/℃ |
RDS(オン) | 静的ドレイン・ソース間オン抵抗2 | VGS=4.5V、ID=6A | --- | 8 | 13 | mΩ |
VGS=2.5V、ID=5A | --- | 10 | 19 | |||
VGS(th) | ゲートしきい値電圧 | VGS=VDS、ID=250uA | 0.5 | --- | 1.3 | V |
IDSS | ドレイン・ソース間漏れ電流 | VDS=16V、VGS=0V。 | --- | --- | 10 | uA |
IGSS | ゲート・ソース間漏れ電流 | VGS=±12V、VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | 総ゲート電荷量 | VDS=15V、VGS=4.5V、ID=6A | --- | 16 | --- | nC |
Qgs | ゲート・ソース間の電荷 | --- | 3 | --- | ||
Qgd | ゲート・ドレイン間の充電 | --- | 4.5 | --- | ||
Td(オン) | ターンオン遅延時間 | VDS=10V、VGS=4.5V、RG=3.3Ω ID=1A | --- | 10 | --- | ns |
Tr | 立ち上がり時間 | --- | 13 | --- | ||
Td(オフ) | ターンオフ遅延時間 | --- | 28 | --- | ||
Tf | フォールタイム | --- | 7 | --- | ||
シス | 入力容量 | VDS=15V、VGS=0V、f=1MHz | --- | 1400 | --- | pF |
コス | 出力容量 | --- | 170 | --- | ||
クロス | 逆伝達容量 | --- | 135 | --- |
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