MOSFETの非効率性の理由の分析

業界のアプリケーションの現段階では、家電製品のアダプター製品のアプリケーションが第 1 位にランクされています。 2 位はコンピュータのマザーボード、コンピュータアダプタ、LCD モニタなどの商品です。 3位は通信ネットワーク、産業用制御システム、自動車エレクトロニクス、その他の電気機器産業です。 MOSFET の需要に対するこれらの製品も非常に大きく、特に今日の自動車エレクトロニクスの MOSFET に対する需要は民生用電子機器の需要に追いつきつつあるようです。
上記の例から、国内の MOSFET の需要は拡大し始めていることがわかりますが、MOSFETMOSFETが効果がない理由を皆さんは理解していますか?次に、MOSFET が故障する 6 つの原因を紹介します。

図 1 に示すように、電圧障害は、BVdss 電圧の電源間の漏れが MOSFET の定格電圧を超え、一定の能力を超えると MOSFET の障害につながるとよく言われます。

2、MOSFET の安全な動作範囲を超える現在の故障と、Id がデバイスの仕様を超え、その Id が大きすぎることによって引き起こされる故障と、長期にわたる熱蓄積を引き起こす高い摩耗と損傷に分けられる無効な故障。デバイスと障害。

3、ブリッジでは、LLC などのボディダイオードが電流トポロジーを実行するのに効果的です。これは、ボディダイオードが破壊されて無効になっているためです。

図4に示すように、並列アプリケーションプロセスでは、回路の寄生パラメータを持つゲートが変動を引き起こし、共振障害を引き起こします。

5、乾燥した環境では、人体や機器、機器から発生する静電気により静電気が発生しにくくなります。

6. ゲートの動作電圧ピークが異常であるため、ゲート電圧が無効です。

上記は以下に基づいていますMOSFET障害の原因を分析し、対応する処理操作を行います。その他の問題がある場合は、オンラインでご相談ください。Guanhua Weiye 社は効果的な回答と質の高いサービス態度を提供します。
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