MOSFET 装置の開発

力MOSFET 「MOSFET」は、「金属酸化物半導体電界効果トランジスタ」と関連しています。垂直トラップ装置、ドアの金属材料、SiN または SiN の SiO2 が、ドライグロンドストッフェンの半ゲル材料に基づいて開発されます。 Om het duidelijk te zeggen、macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan 出力、en ze zijn ingedeeld in vele manieren、waarin de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in vereterde type en licht depletie type、volgens het kanaal kan worden N-kanaal 型と P-kanaal 型の onderverdeeld。

パワー MOSFET は、回路の全体的な理解に基づいて説明されています。オーバー・ヘット・アルゲミン・キーゼンMOSFET製造工場パラメーター RDS(ON) は、インターフェースのインピーダンスを定義します。 RDS(ON) は、FET との接続を OR するための重要な機能です。データ情報ガイドでは、ゲート、VGS、およびゲートドライブの相対的な統計情報と、VGS に関連する RDS(ON) を定義します。

また、MOSFET 製造装置は、最小限の仕様とコストを満たしているかどうかを検討し、必要な要件を満たさなければなりません。 Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET 並行して、すべてのメッセージが表示されます。 RDS(ON) のシリーズシャケレンゾダットで MOSFET の動作を確認することができます。

Naast RDS(ON) では、MOSFET の選択プロセスで、主要な MOSFET パラメータを詳細に調べます。管理者は、データ情報ガイドの SOA グラフィックスを使用して、ドレインストルームとドレインブロンベッドの接続に関する相関関係を調べました。 MOSFET に関する詳細な情報は、SOA の範囲内で定義されています。

上記のような負荷条件の場合、大きい方の動作電圧を見積(または測定)し、20%～30%のマージンを持たせた上で、必要なMOSFETの定格電流VDS値を設定できます。ここで言わなければならないのは、より強力なコストとより滑らかな特性を向上させるために、電流制御ループの構成を閉じる際にAC電流の直列電流ダイオードとインダクターを取り込み、誘導電流の運動エネルギーを解放して、電流を維持することができるということです。 MOSFET。定格電流が明確であれば、電流を推定できます。ただし、ここでは 2 つのパラメータを考慮する必要があります。1 つは連続動作時の電流値、もう 1 つは単一パルス電流スパイク (スパイクとサージ) の最高値です。これら 2 つのパラメータは、定格値をどの程度選択するかを決定します。現在の値。