MOSFETのパラメータについてどれくらい知っていますか? OLUKEY があなたのために分析します

MOSFETパラメータの意味の説明

1. 極端なパラメータ:

ID: 最大ドレイン-ソース電流。電界効果トランジスタが正常に動作しているときに、ドレインとソースの間に流れることができる最大電流を指します。電界効果トランジスタの動作電流は ID を超えてはなりません。このパラメータは、ジャンクション温度が上昇すると減少します。

IDM: 最大パルスドレイン・ソース電流。このパラメータはジャンクション温度が上昇すると減少し、耐衝撃性を反映し、パルス時間にも関係します。このパラメータが小さすぎると、OCP テスト中の電流によってシステムが故障する危険性があります。

PD: 最大消費電力。これは、電界効果トランジスタの性能を低下させることなく許容される最大のドレイン-ソース間電力損失を指します。 FET を使用する場合、実際の消費電力は PDSM の消費電力よりも小さく、ある程度のマージンを持たせる必要があります。このパラメータは通常、ジャンクション温度が上昇すると減少します。

VDSS: ドレイン・ソース間最大耐圧。特定の温度およびゲート・ソース間短絡下で、流れるドレイン電流が特定の値に達した（急激に上昇した）ときのドレイン・ソース間電圧。この場合のドレイン・ソース間電圧をアバランシェ降伏電圧とも言います。 VDSS は正の温度係数を持っています。 -50°C では、VDSS は 25°C の約 90% になります。通常の製造では余裕が残されているため、MOSFET のアバランシェ降伏電圧は常に公称定格電圧より大きくなります。

オルキー暖かいヒント: 製品の信頼性を確保するために、最悪の動作条件下では、動作電圧が定格値の 80 ～ 90% を超えないようにすることをお勧めします。