MOSFET の伝導特性

MOSFETの導電率は、MOSFETがスイッチとして使用されることを意味し、これはスイッチが閉じることと同等です。NMOSは、Vgsが制限値を超えたときに導通すると特徴づけられます。これは、ソースが接地されたデバイスに接続されている状態に適用され、ゲートのみが必要です。電圧は4Vまたは10Vになります。PMOS一方、Vgs が特定の値を下回ると導通し、ソースが Vcc に接続されている状況に適しています。ただし、PMOSは高級ドライバとして便利ですが、オン抵抗が大きく、価格やコストが高く、代替品も少ないため、高級ドライバではNMOSが一般的に使用されています。

そうかどうかNMOSPMOSやPMOSではオン抵抗の後にオン抵抗があり、抵抗に流れる電流によって一定の電力が消費されます。この消費量をオン抵抗損失といいます。この時点では、オン抵抗損失を低減できる小型 MOSFET のオン抵抗を選択するだけで、今日の低消費電力を実現できます。MOSFETオン抵抗は一般に数十ミリオーム、オンの場合でも MOS の見た目の数ミリオームであり、その状態が完了する時点では瞬く間にありません。
MOSの両端の電圧は減少する過程を経て、流れる電流は増加する過程を経て、この間にMOSFETの損失の大きさを乗じた電圧と電流が流れます。一般的なスイッチング損失は導通損失よりもはるかに大きく、スイッチング周波数が高くなるほど損失も大きくなります。導通時の電圧と電流の乗算が大きくなるほど、損失は大きくなります。スイッチング時間を短縮できれば、各導通時の損失を低減でき、スイッチングの頻度を減らすことができ、また、一定時間内でのスイッチングの頻度を減らすことができ、スイッチング損失を低減することができます。

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