デュアルスピニングクリスタル三極管とは対照的に、一般に、MOSFET伝導は電気の流れを使用せず、GS 電圧が特定の値以上であることのみを必要とします。これを行うのは比較的簡単ですが、主に一定のレートが必要です。
MOSFET の構造については、GS、GD に寄生容量が存在することがわかります。実際、MOSFET の駆動は容量を充電および放電することです。コンデンサの充電には、電流だけで十分です。充電中のコンデンサは短絡時のコンデンサと同等であるため、このときの瞬間電流は一般的な状況の値よりも高くなります。したがって、MOSFET の駆動回路プログラムを選択または設計する場合、まず最初に注目すべき点は、瞬間的な短絡電流の大きさを提供することができます。
第二に、ハイエンドの駆動に広く使用されている NMOS は、導通時にゲート電圧がソース電圧を超える必要があります。ハイエンド駆動MOSFETのオン時間では、ソース電圧とドレイン電圧のサイズが同じであるため、今回のゲート電圧はVccより4Vまたは10V高くする必要があります。同じシステム内で Vcc よりも高いゲート電圧を得たい場合は、電圧回路の制御に特化する必要があります。多くのモータードライバーはチャージポンプで構成されており、MOSFETを駆動するのに十分な短絡電流を得るために適切な外付けコンデンサを選択する必要があることに注意してください。
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投稿日時: 2024 年 7 月 6 日
