I. MOSFETの定義
電圧駆動の大電流デバイスとして、 MOSFET 回路、特に電力システムに多数の用途があります。寄生ダイオードとしても知られる MOSFET ボディ ダイオードは、集積回路のリソグラフィーには存在しませんが、別個の MOSFET デバイスに存在し、大電流で駆動される場合や誘導性負荷が存在する場合に逆方向保護と電流継続を提供します。
このダイオードの存在により、回路内で MOSFET デバイスのスイッチングを単純に見ることはできません。充電回路では、充電が終了し、電力が除去され、バッテリが外側に逆向きになりますが、これは通常望ましくない結果です。
一般的な解決策は、逆電源を防ぐために後ろにダイオードを追加することですが、ダイオードの特性により、0.6～1Vの順方向電圧降下が必要となり、大電流での発熱が大きくなり、無駄が発生します。エネルギーが減少し、全体的なエネルギー効率が低下します。もう 1 つの方法は、MOSFET の低いオン抵抗を利用してエネルギー効率を達成する、バックツーバック MOSFET を追加することです。
導通後のMOSFETは無方向であるため、加圧導通後はワイヤと同等であり、抵抗のみがあり、オン状態の電圧降下はなく、通常はオン抵抗が数ミリオームから飽和することに注意してください。タイムリーなミリオーム、無指向性で、DC および AC 電力を通過させることができます。
II. MOSFETの特徴
1、MOSFETは電圧制御デバイスであり、大電流を駆動するための推進段は必要ありません。
2、高い入力抵抗;
3、広い動作周波数範囲、高いスイッチング速度、低い損失
4、AC 快適な高インピーダンス、低ノイズ。
5、複数並列使用、出力電流増加
第二に、予防策の過程での MOSFET の使用
1、MOSFETの安全な使用を確保するために、ライン設計では、パイプラインの消費電力、最大漏れソース電圧、ゲート・ソース電圧と電流、およびその他のパラメータ制限値を超えてはなりません。
2、使用されるさまざまなタイプのMOSFETは、厳密に存在する 回路への必要なバイアス アクセスに従って、MOSFET オフセットの極性に準拠します。
3. MOSFETを取り付ける際は、発熱体に近づけないよう取り付け位置に注意してください。継手の振動を防ぐために、シェルをしっかりと締める必要があります。ピンリードの曲げ加工は、ピンの折れや漏れを防ぐため、根元寸法5mm以上で行ってください。
図 4 に示すように、入力インピーダンスが非常に高いため、MOSFET は輸送および保管中にピンから短絡し、外部から誘導されるゲートの電位破壊を防ぐために金属シールドでパッケージする必要があります。
5. 接合型 MOSFET のゲート電圧は反転できず、開回路状態で保存できますが、絶縁ゲート型 MOSFET は不使用時の入力抵抗が非常に高いため、各電極を短絡する必要があります。絶縁ゲート MOSFET をはんだ付けする場合は、ソース、ドレイン、ゲートの順序に従い、電源をオフにしてはんだ付けを行ってください。
MOSFET を安全にご使用いただくためには、MOSFET の特性とプロセス使用上の注意点を十分に理解していただく必要がありますので、ご参考になれば幸いです。
投稿日時: 2024 年 5 月 15 日
