MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) には、次の 3 つの極があります。
ゲート：G、MOSFET のゲートはバイポーラ トランジスタのベースに相当し、MOSFET の導通とカットオフを制御するために使用されます。 MOSFET では、ゲート電圧 (Vgs) によって、ソースとドレインの間に導電チャネルが形成されるかどうか、および導電チャネルの幅と導電率が決まります。ゲートは金属、ポリシリコンなどの材料でできており、電流がゲートに直接出入りするのを防ぐために絶縁層 (通常は二酸化シリコン) で囲まれています。
ソース：MOSFET のソースはバイポーラ トランジスタのエミッタに相当し、電流が流れる場所です。 N チャネル MOSFET では、ソースは通常、電源の負端子 (またはグランド) に接続されますが、P チャネル MOSFET では、ソースは電源の正端子に接続されます。ソースは導電チャネルを形成する重要な部分の 1 つであり、ゲート電圧が十分に高いときに電子 (N チャネル) または正孔 (P チャネル) をドレインに送ります。
ドレイン：D、MOSFET のドレインはバイポーラ トランジスタのコレクタに相当し、電流が流入する場所です。ドレインは通常、負荷に接続され、回路内で電流出力として機能します。 MOSFETでは、ドレインは導電チャネルの他端であり、ゲート電圧がソースとドレイン間の導電チャネルの形成を制御すると、電流がソースから導電チャネルを通ってドレインに流れることができます。
簡単に言うと、MOSFET のゲートはオンとオフの制御に使用され、ソースは電流が流出する場所、ドレインは電流が流入する場所です。これら 3 つの極が一緒になって、MOSFET の動作状態と性能を決定します。 。
投稿日時: 2024 年 9 月 26 日
