MOSFETはどのように動作するのでしょうか?

1, MOSFET導入

FieldEffect Transistor の略称 (FET)) タイトル MOSFET。少数のキャリアが熱伝導に関与することにより、多極トランジスタとしても知られています。電圧マスタリング型半導体超電導機構に属する。出力抵抗が高く（10^8～10^9Ω）、低ノイズ、低消費電力、静的範囲、統合が容易、二次故障現象がない、海全体の保険タスクなどの利点があり、現在は変わりました強力な協力者のバイポーラトランジスタとパワージャンクショントランジスタ。

 

2、MOSFETの特性

1、MOSFETは電圧制御デバイスであり、VGS（ゲート・ソース電圧）を通じてID（ドレインDC）を制御します。

2, MOSFET出力DC極が小さいため、出力抵抗が大きくなります。

3、熱を伝導するために少数のキャリアを適用するので、安定性のより良い尺度が得られます。

4、電気的減少係数の減少経路で構成され、減少係数の減少経路で構成される三極管よりも小さい。

5、MOSFETの耐放射線能力;

図６に示すように、ノイズの散乱粒子によって引き起こされるオリゴン分散の誤動作がないため、ノイズは低い。

 

3、MOSFETのタスク原理

MOSFET動作原理を一言で言うと「ゲート用のチャネルを流れるIDとゲート電圧マスターIDの逆バイアスによって形成されるpn接合間のチャネル間のドレイン・ソース間」、正確に言うとIDが幅を流れることになります。経路の変化、つまりチャネル断面積は、空乏層を生成する pn 接合の逆バイアスの変化です。これが拡張された変動制御の理由です。 VGS=0 の非飽和海では、遷移層の膨張はそれほど大きくないため、ドレイン・ソース間に VDS の磁界が加わると、ソース海にある電子の一部が遷移層によって引き抜かれます。つまり、ドレインからソースへの DC ID アクティビティが存在します。ゲートからドレインにかけて拡大された緩やかな層により、チャネル全体がブロッキング型のIDフルとなっています。この形をピンチオフと呼びます。 DC 電源が遮断されるのではなく、障害物全体のチャネルへの遷移層を象徴します。

 

遷移層は電子や正孔の自由な移動がないため、理想的な形ではほぼ絶縁性を持ち、一般的な電流は流れにくくなります。しかし、ドリフト電界が高速電子を遷移層に引き込むため、ドレイン - ソース間の電界、実際には 2 つの遷移層が下部付近でドレインとゲート ポールに接触します。ドリフトフィールドの強度はほぼ一定であり、ID シーンの充実感を生み出します。

 

この回路では、強化された P チャネル MOSFET と強化された N チャネル MOSFET を組み合わせて使用​​します。入力が Low の場合、P チャネル MOSFET が導通し、出力が電源の正端子に接続されます。入力が HIGH の場合、N チャネル MOSFET が導通し、出力は電源グランドに接続されます。この回路では、P チャネル MOSFET と N チャネル MOSFET は常に逆の状態で動作し、入力と出力の位相が逆になります。