一般的に使用される高出力 MOSFET の動作原理の紹介

今日、一般的に使用されるハイパワーについてMOSFETその動作原理を簡単に紹介します。それがどのように独自の作業を実現するかを見てください。

 

金属酸化物半導体、つまり金属酸化物半導体、正確には、この名前は集積回路内の MOSFET の構造を表しています。つまり、半導体デバイスの特定の構造において、二酸化シリコンと金属が結合して、門の。

 

MOSFET のソースとドレインは対向しており、両方とも P 型バックゲート内に形成された N 型ゾーンです。ほとんどの場合、調整の両端がデバイスのパフォーマンスに影響を及ぼさない場合でも、2 つの領域は同じであり、そのようなデバイスは対称であると見なされます。

 

分類: 各 N チャネルと P チャネルのチャネル材料タイプと絶縁ゲート タイプに応じて 2 つ。導電モードによると、MOSFET はデプレッションとエンハンスメントに分けられるため、MOSFET も N チャネルのデプレッションとエンハンスメントに分けられます。 P チャネルの減少と 4 つの主要カテゴリの強化。

MOSFETの動作原理 - 構造的特徴MOSFET伝導に関与する一方の極性キャリア (ポリ) のみを伝導する、ユニポーラ トランジスタです。導通メカニズムは低電力 MOSFET と同じですが、構造に大きな違いがあります。低電力 MOSFET は水平導電デバイスであり、パワー MOSFET のほとんどは垂直導電構造であり、VMOSFET とも呼ばれ、MOSFET を大幅に改善します。デバイスの電圧と電流の耐性。主な特徴は、メタルゲートとチャネルの間にシリカ絶縁層があるため入力抵抗が高く、チューブが2つの高濃度のn拡散ゾーンで伝導してn型導電チャネルを形成していることです。 n チャネルエンハンスメント MOSFET は、ゲート・ソース電圧が n チャネル MOSFET によって生成される導電チャネルのしきい値電圧より大きい場合にのみ、順方向バイアスでゲートに印加する必要があります。 n チャネル デプレッション型 MOSFET は、ゲート電圧が印加されていない (ゲート ソース電圧がゼロ) ときに導電チャネルが生成される n チャネル MOSFET です。

 

MOSFETの動作原理は、VGSを使用して「誘導電荷」の量を制御し、「誘導電荷」によって形成される導電チャネルの状態を変化させ、ドレイン電流を制御するという目的を達成することです。チューブの製造では、絶縁層のプロセスで多数の正イオンが発生するため、界面の反対側でより多くの負電荷が誘導され、これらの負電荷は窒素中の不純物の侵入を高めます。導電チャネルの形成に関係する領域では、VGS = 0 の場合でも大きなリーク電流 ID が発生します。ゲート電圧が変化すると、チャネル内に誘導される電荷​​の量も変化し、導電チャネルの幅とチャネルの狭さが変化し、したがってゲート電圧に応じてリーク電流IDが変化します。電流 ID はゲート電圧によって変化します。

 

今のアプリケーションは、MOSFET私たちの生活の質を向上させながら、人々の学習や仕事の効率を大幅に向上させてきました。私たちは、いくつかの単純な理解を通じて、それをより合理的に理解します。道具として使うだけではなく、その特性や仕事の原理をより深く理解することで、とても楽しいものになります。