MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) は、完全に制御されたデバイスであると考えられることがよくあります。これは、MOSFET の動作状態 (オンまたはオフ) がゲート電圧 (Vgs) によって完全に制御され、バイポーラ トランジスタ (BJT) の場合のようにベース電流に依存しないためです。
MOSFET では、ゲート電圧 Vgs によって、ソースとドレインの間に導電チャネルが形成されるかどうか、および導電チャネルの幅と導電率が決まります。 Vgs がしきい値電圧 Vt を超えると、導電チャネルが形成され、MOSFET がオン状態になります。 Vgs が Vt を下回ると、導電チャネルが消失し、MOSFET はカットオフ状態になります。他の電流や電圧パラメータに依存することなく、ゲート電圧が独立して正確に MOSFET の動作状態を制御できるため、この制御は完全に制御されます。
対照的に、半分制御されたデバイス (例: サイリスタ) の動作状態は、制御電圧または電流だけでなく、他の要因 (例: アノード電圧、電流など) にも影響されます。その結果、完全に制御されたデバイス (MOSFET など) は、通常、制御精度と柔軟性の点で優れたパフォーマンスを提供します。
要約すると、MOSFET は動作状態がゲート電圧によって完全に制御される完全制御デバイスであり、高精度、高い柔軟性、低消費電力という利点があります。
投稿日時: 2024 年 9 月 20 日
