電界効果トランジスタの略称MOSFET接合型電界効果管と金属酸化膜半導体電界効果管の 2 つの主なタイプがあります。 MOSFET は、キャリアの大部分が導電性に関与するユニポーラ トランジスタとしても知られています。これらは電圧制御される半導体デバイスです。高入力抵抗、低ノイズ、低消費電力などの特性により、バイポーラトランジスタやパワートランジスタの強力な競合相手となります。
I. MOSFETの主なパラメータ
1、DCパラメータ
飽和ドレイン電流は、ゲートとソース間の電圧がゼロに等しく、ドレインとソース間の電圧がピンチオフ電圧より大きい場合に対応するドレイン電流として定義できます。
ピンチオフ電圧 UP: UDS が確実な場合、UGS は ID を小さな電流に下げる必要があります。
ターンオン電圧 UT: UDS が確実な場合、ID を特定の値にするために UGS が必要です。
2、ACパラメータ
低周波相互コンダクタンス gm : ドレイン電流に対するゲートおよびソース電圧の制御効果を表します。
極間静電容量: MOSFET の 3 つの電極間の静電容量。値が小さいほど、性能が高くなります。
3、制限パラメータ
ドレイン、ソース耐圧：ドレイン電流が急激に上昇すると、UDS時にアバランシェ降伏が発生します。
ゲート降伏電圧: 接合電界効果管の通常動作、ゲートとソース間の PN 接合が逆バイアス状態にあり、電流が大きすぎて降伏が発生しません。
II.の特徴MOSFET
MOSFETは増幅機能を持ち、増幅回路を構成できます。三極管と比較すると以下のような特徴があります。
(1) MOSFET は電圧制御デバイスであり、電位は UGS によって制御されます。
(2) MOSFET の入力電流は非常に小さいため、入力抵抗は非常に高くなります。
(3) 導電性に多数キャリアを使用しているため温度安定性が良い。
(4) 増幅回路の電圧増幅係数が三極管に比べて小さい。
(5) 放射線に対する耐性が高くなります。
三番目、MOSFET とトランジスタの比較
(1) MOSFET のソース、ゲート、ドレインおよび三極管のソース、ベース、設定点ポールは同様の役割に対応します。
(2) MOSFET は電圧制御電流デバイスであるため、増幅係数が小さく、増幅能力が劣ります。三極管は電流制御電圧デバイスであり、増幅能力が強力です。
(3) MOSFET ゲートは基本的に電流を受け取りません。三極管で動作すると、ベースが特定の電流を吸収します。したがって、MOSFET のゲート入力抵抗は三極管の入力抵抗よりも高くなります。
(4) MOSFET の導電プロセスにはポリトロンが関与し、三極管にはポリトロンとオリゴトロンの 2 種類のキャリアが関与しており、オリゴトロンの濃度は温度、放射線などの要因に大きく影響されるため、MOSFET はトランジスタよりも優れた温度安定性と耐放射線性を備えています。環境条件が大きく変化する場合にはMOSFETを選択してください。
(5) MOSFET のソースメタルと基板を接続した場合、ソースとドレインを入れ替えても特性はあまり変わりませんが、トランジスタのコレクタとエミッタを入れ替えると特性が異なり、β 値が変化します。削減されます。
(6) MOSFET の雑音指数が小さい。
(7) MOSFET とトライオードはさまざまな増幅回路やスイッチング回路で構成できますが、前者は消費電力が低く、熱安定性が高く、電源電圧の範囲が広いため、大規模および超大型の回路で広く使用されています。スケール集積回路。
(8) 三極管のオン抵抗は大きく、MOSFET のオン抵抗は小さいため、効率の高いスイッチとして MOSFET が一般的に使用されます。
投稿日時: 2024 年 5 月 16 日
