MOSFETの分類特性

MOSFETは、その高い入力抵抗、低ノイズ、熱的安定性、電子回路における統合された利点、およびその大きな電力の流れ、大きな動作電圧の電源回路のために広く使用されています。適切なアプリケーションでは、MOSFET ピンを識別します。極性は非常に重要です。同じトランジスタでも、MOSFET ピンを巧みに識別する必要があります。極性は、まずその構造と基本原理を理解する必要があります。MOSFETデュアルゲートチューブに 4 つの電気レベルがある場合、ピンにはゲート G、ドレイン D、ソース S の 3 つの電気レベルがあります。

MOSFETは接合部に分けることができますMOSFET絶縁層ゲートＭＯＳＦＥＴは構造に応じてエンハンスメント型とディプレッション型に分けられる。接合 MOSFET の「接合」は pn 接合を指します。絶縁層ゲート MOSFET の絶縁層ゲートは、ゲートとソース、中間のドレインの層を指します。二酸化シリコンのケーブルシース、それらの間には導電性の接続はありません。導電チャネル特性に従って、接合MOSFETと絶縁層グリッドMOSFETは電子的および絶縁層グリッドMOSFETに分類できます。穴型チャネル、それはMOSFETの導電性安全チャネルです。MOSFETはユニポーラ結晶トランジスタに起因し、トランジスタはバイポーラ結晶トランジスタに起因します。つまり、ある種の自由電子の前ではある種の導電性のみがあり、後者は一種の導電性です。 2種類の自由電子。 MOSFETは電圧制御水晶トランジスタに属し、動作電圧の中間のゲートとソースに応じて、チャネルの導電性仕事容量を変化させます。この三極管は磁束操作型水晶三極管に分類され、コレクタ接合電流の大きさは磁束の変化に応じて変化します。

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