MOSFETの選択 | N チャネル MOSFET の構造原理

p 型基板と高濃度値の 2 つの n 拡散領域で構成される MOSFET は、n チャネルと呼ばれます。MOSFET、n型導電チャネルによって引き起こされる導電チャネルは、チューブが導通しているときに高濃度値を有する2つのn拡散経路内のn拡散経路によって引き起こされます。 n チャネルの厚みを増した MOSFET は、ゲートでの正方向のバイアスが可能な限り高められ、ゲート・ソース動作でしきい値電圧を超える動作電圧が必要な場合にのみ、導電チャネルによって引き起こされる n チャネルを持ちます。 n チャネル デプレッション MOSFET は、ゲート電圧に対応できないものです (ゲート ソース動作には動作電圧ゼロが必要です)。 nチャネルライトディプリーションMOSFETとは、ゲート電圧（ゲート・ソース動作要件動作電圧がゼロ）が準備されていないときにチャネルが導通するnチャネルMOSFETです。

      NMOSFET集積回路は、NチャネルMOSFET電源回路、NMOSFET集積回路であり、入力抵抗が非常に高く、大部分は電力流の吸収を消化する必要がないため、CMOSFETおよびNMOSFET集積回路は、電力の流れを吸収する必要がなく接続されています。 NMOSFET 集積回路の選択の大部分は、単一グループの正のスイッチング電源回路電源回路です。NMOSFET 集積回路の大部分は、単一の正のスイッチング電源回路電源回路を使用しており、さらに9V。 CMOSFET集積回路は、NMOSFET集積回路と同じスイッチング電源回路の電源回路を使用するだけでよく、すぐにNMOSFET集積回路に接続できます。ただし、NMOSFET から CMOSFET に直接接続すると、NMOSFET の出力プルアップ抵抗は、集積回路の CMOSFET のプルアップ抵抗よりも小さいため、電位差プルアップ抵抗 R を適用してみてください。抵抗 R の値は次のようになります。一般的には2～100KΩです。