MOSFET は、半導体分野で最も基本的なデバイスの 1 つとして、IC 設計と基板レベルの回路アプリケーションの両方で広く使用されています。では、MOSFET のさまざまなパラメータについてどれくらい知っていますか?中低耐圧MOSFETのスペシャリストとして、オルーキーMOSFETの各種パラメータを詳しく解説します！
VDSS 最大ドレイン・ソース間耐圧
特定の温度およびゲート・ソース間短絡下で、流れるドレイン電流が特定の値に達した（急激に上昇した）ときのドレイン・ソース間電圧。この場合のドレイン・ソース間電圧をアバランシェ降伏電圧とも言います。VDSS は正の温度係数を持っています。-50°C では、VDSS は 25°C の約 90% になります。通常の生産では通常余裕が残されているため、アバランシェ降伏電圧はMOSFETは常に公称定格電圧より大きくなります。
Olukey からの注意事項: 製品の信頼性を確保するために、最悪の動作条件下では、動作電圧が定格値の 80 ～ 90% を超えないようにすることをお勧めします。
VGSS最大ゲート・ソース間耐圧
ゲート・ソース間の逆電流が急激に増加し始めるときのVGS値を指します。この電圧値を超えると、ゲート酸化層の絶縁破壊が発生します。これは破壊的かつ不可逆的な破壊です。
ID最大ドレイン・ソース間電流
電界効果トランジスタが正常に動作しているときに、ドレインとソースの間に流れることができる最大電流を指します。MOSFET の動作電流は ID を超えてはなりません。このパラメータは、ジャンクション温度が上昇すると低下します。
IDM最大パルスドレイン・ソース電流
デバイスが処理できるパルス電流のレベルを反映します。このパラメータは、ジャンクション温度が上昇すると減少します。このパラメータが小さすぎると、OCP テスト中に電流によってシステムが故障する危険性があります。
PD最大消費電力
これは、電界効果トランジスタの性能を低下させることなく許容される最大のドレイン-ソース間電力損失を指します。使用する場合、電界効果トランジスタの実際の消費電力は PDSM の消費電力よりも小さく、ある程度のマージンを残す必要があります。このパラメータは通常、ジャンクション温度が上昇するにつれて低下します。
TJ、TSTGの使用温度と保存環境温度範囲
これら 2 つのパラメータは、デバイスの動作環境および保管環境によって許容されるジャンクション温度範囲を校正します。この温度範囲は、デバイスの最小動作寿命要件を満たすように設定されています。デバイスがこの温度範囲内で動作することが保証されている場合、その動作寿命は大幅に延長されます。
投稿日時: 2023 年 12 月 15 日
