トランジスタとMOSFETの並列接続の基本理論について： まず、トランジスタは負の指数関数的な温度値を持っています。つまり、トランジスタ自体の温度が上昇すると、オン抵抗は小さくなります。第二に、MOSFET はトランジスタとは対照的に正の指数関数的な温度値を持ちます。これは、温度が上昇するとオン抵抗がゆっくりと増加することを意味します。
実際、MOSFET はトランジスタと比較して、並列電源回路の電流を均一化するのにより適しています。したがって、電源回路の電流が比較的大きい場合は、通常、シャントに並列 MOSFET を使用することをお勧めします。電流を均等化するためにMOSFETを選択すると、一方の電流がMOSFETの電流を超え、もう一方の電流がMOSFETの電流を超えると、大きなMOSFETの熱によってMOSFETの電流が発生し、オンオフ抵抗が大きくなります。 、電流の低下を軽減します。 MOSFETは電流の差に基づいて常に調整し、最終的に2つの電流バランスを実現します。MOSFET.
注意すべき点の 1 つは、トランジスタを並列に接続して大電流の流れを完成させることもできますが、その場合は直列駆動抵抗のベースに基づいて各トランジスタの電流バランスに対処する必要もあります。問題の真ん中にある並列トランジスタ。
トランジスタの並列接続でよくある問題:
（１）の場合、発振を避けるため、各トランジスタのゲートと各駆動抵抗を直接直列に接続して駆動することはできない。
(2)、各トランジスタを操作する(MOSFET)一貫性を維持するためにオープン時間とクローズ時間を設定します。一貫性がない場合、最初にパイプラインを開くか、パイプラインを閉じると、過剰な電流の浸透が原因で破壊されます。
(3) そして最後に、各トランジスタのソースに等化抵抗を直列に接続できるようにしたいと考えていますが、もちろん、念のためにそうする必要はありません。
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投稿日時: 2024 年 7 月 5 日
